这个ESD 模型是一个200 pF 电容直接对组件放电,输出电路中没有直流串联电阻。放电波形可以振荡,上升时间和脉冲宽度与HBM 类似。机器模型通常会有与人体模型同样的物理性故障模式,但在明显较低的水平。 使用静电放电协会标准(ESD S5.2 静电放电敏感度测试-机器模...
一、ESD带电器件模型 带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联...
如小编对芯片进行测试的时候, power pin在10A而IO pin仅8A(CDM500V情况下) (2)那Ipeak到底越大越好还是越小越好? 这个没有明确定义,这个和芯片尺寸也有很多影响,要更具实际ESD防护电路来看; 举例 再ESD pass的情况下,那Ipeak电流越大,说明泄放速率越快,低阻抗通路,同时ESD器件没有损坏,这个情况下就说明Ipeak...
测试前需要对脉冲波形进行检测,满足要求后才能对待测芯片进行测试。而针对待测芯片在测试前和测试后都需要进行ATE测试,从而校验芯片是否失效。笔者也曾遇到在ESD测试后多次ATE结果不一的情况,ESD测试后即刻ATE结果表明芯片已经失效,而一段时间后的ATE又与之前的ATE结果相左,芯片似乎恢复正常了。这种情况笔者也是较为头疼,...
一、ESD带电器件模型 带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联...
一、ESD带电器件模型 带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联...
一、ESD带电器件模型 带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联...
半导体器件的 ESD 测试带电器件模型( CDM )及静电敏感度分级 一、 ESD 带电器件模型 带电器件模型( Charged-Device Model - CDM )是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。 CD
《半导体器件机械和气候试验方法第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试充电模型(CDM) 器件级》(征求意见稿)编制说明 一、工作简况 1、任务来源 《半导体器件机械和气候试验方法第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试充电模型(CDM)器件级》标准制定是2023年12月28日下达的国家标准计划项目,计划代号T-339。由中华人民共和国...
CDM测试装置 CDM测试装置主要由一个与高压电源相连的充电板Field Plate和一个接地的Pogo pin构成，Pogo pin能够在待测IC（DUT）的引脚间移动，以模拟实际的ESD事件。图1展示了实际的测试模块，而图2则为等效电路图，其中CDUT代表DUT与场板之间的电容，CDG代表DUT与地平面之间的电容，CFG代表场板与地平面之间的电容...