JESD22-C101标准推荐的CDM ESD测试的电压水平为: 125V、250V、500V、1000V。不建议进行超过1000V的测试。 *注:也可以使用本标准以前版本中推荐的电压水平(100 V、200 V、500 V和1000 V)。 为了更精确地确定器件的CDM ESD阈值,除了上述建议的电压外,还允许在>=100 V和<=1000 V的任何电压水平下进行测试。
此FIM模型的静电放电发生是因电场感应而起的。当IC因输送带或其他因素而经过一电场时,其相对极性的电荷可能会自一些IC脚而排放掉,等IC通过电场之后,IC本身便累积了静电荷,此静电荷会以类似CDM的模式放电出来。有关FIM的放电模型早在三极管时代就已被发现,现今已有工业测试标准。在国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDAR...
CDM测试模拟装置的校验测试有3个层级,测试要求如表2(Table 2)所述。 -CDM Equipment Manufacturer Qualification (CDM 测试装置生产厂家质检) -User Verification (使用者校验) -Routine Verification (例行校验) 使用标准测试组件,对CDM测试模拟装置按表3(Table 3)要求进行以下4项测试校验,其脉冲波形如图6。 图6 W...
使用当前标准 CDM 测试方法实际上可以更有效地模拟金属对金属放电的快速上升前沿。由于高速示波器的发展,这一点如今已为人所知。然而,在 1980 年代,人们误解了MM是 CDM 的良好代表。这种误解实际上延迟了今天使用的 CDM 标准的最终开发和接受。在 1990年代后期,随着对 CDM的测试有了很大改进和准确,并且随着对快速放...
测试项目:带电器件模型静电敏感度试验(ESD-CDM) 参考标准:ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 2018 测试条件:按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 2018;放电3次;±500V/±1000V/±1500V/±2000V; 试验接受条件:ESD-CDM 测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10% ...
另外在国际电子工业标准 (EIA/JEDEC STANDARD) 中,亦对此机器放电模型制定测试规范 (EIA/JESD22-A115-A),详细情形请参阅该工业标准。 3.元件充电模型 (Charged-Device Model, CDM) 此放电模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC内部累积了静电,但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有静电的IC在处理过程中,当...
目前的ESD测试标准有很多种,一般可分为芯片级和系统级,芯片级的测试包括多种静电放电模型,主要有人体模型(HBM)、机器模型(MM)、组件充电模型(CDM)等,系统级测试则包含直接放电和间接放电两种方式,以下将详细介绍各模型相应的测试标准。 一、芯片级ESD测试 ...
CDM:根据JS-002标准,共分为五个等级。 技术参数: 最大输出电压:20.00kV / 30.00kV 放电间隔:0.050s～30.0s 放电次数:1～9999 输出极性:正 / 负 放电模式:接触放电 / 空气放电 放电方式:手动 / 自动 放电网络:150pF/330Ω(IEC) 放电模式: 1. 接触放电:放电电极的尖端与DUT接触,发生放电。
另外在国际电子工业标准 (EIA/JEDEC STANDARD) 中,亦对此机器放电模型制定测试规范 (EIA/JESD22-A115-A),详细情形请参阅该工业标准。 3.元件充电模型 (Charged-Device Model, CDM) 此放电模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC内部累积了静电,但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有静电的IC在处理过程中,当...
ESD标准以及测试方法 根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式: 人体放电模式(Human-Body Model,HBM)、机器放电模式(Machine Model,MM)、元件充电模式(Charged-Device Model,CDM)、电场感应模式(Field-Induced Model,FIM),但是业界通常使用前两种模式来测试(HBM, MM)。