Figure 1 represents the hardware schematic for a CDM tester setup to conduct field-induced CDM ESD testing assuming the use of a resistive current probe. The DUT may be an actual device or it may be one of the two verification modules (metal discs) described in Annex A. The pogo pin sha...
由于 CDM ESD 事件的持续时间远短于 HBM 和 MM ESD 事件的持续时间,因此在 ESD 保护电路开启之前,CDM ESD 事件可能会损坏 IC。当信号频率增加时,电容器将成为低阻抗器件。因此,CDM ESD 电流最有可能流经 IC 中器件的电容结构。在 CMOS IC 中,MOS 晶体管的栅极氧化层为电容性结构,因此栅极氧化层在 CDM ESD...
从电路的角度分析,CDM对栅极造成了损伤,使得电路功能发生异常。从器件物理的角度分析,CDM电荷积聚会对栅氧化层会造成物理上的破坏,图中可以看出CDM脉冲造成了栅氧化层出现了空洞。 图十.AFM下CDM失效图像。 所以CDM防护需要重点关注对于栅极的保护,但是并不一定所有的栅极损伤都是由CDM造成,尤其是输入端口的ESD事件,H...
CDM与HBM和MM完全不同,因此它们之间没有相关性。因此,CDM和HBM测试通常用于测试ESD保护电路。图4显示了HBM,MM和CDM的电流波形特性。CDM波形对应于已知的最短ESD事件,其上升时间为400ps,总持续时间约为2ns。 图4.HBM,CDM和MM的电流波形显示出明显差异。 ESD抗扰度分类 器件的ESD灵敏度可以定义为它通过的最高ESD...
1.3、组件充电模型(CDM) 半导体器件在生产装配、传递、试验、测试和运输及存贮过程中,由于外壳与其它材料相互摩擦或是其它因素产生电荷的积累,当带有静电的器件任一引脚与地接触时,器件内部的电荷会通过该引脚流出从而造成放电现象,此种模型的放电时间更短,仅几个纳秒。由于器件內部累积的静电会因对地的等效电容值而变...
测试时使用不同的电容器和电阻,模拟设备与设备之间的静电放电。 3.振荡场(CDM)测试:CDM测试是一种更现实的ESD测试方法,模拟设备通过输送带或传送机构时可能导致的静电放电。测试中,使用不同的电荷储存器来模拟电子设备接收到的静电放电。 4.电源引脚ESD测试:这种方法主要用于测试设备的电源引脚对静电放电的抵抗能力...
CDM的场景是芯片因为摩擦或者其它原因在衬底内部集聚了很多电荷,当在封装或者测试时芯片引脚接触到探针后发生的放电事件。CDM放电事件主要会对MOS器件的栅极造成损坏,造成(dielectric failure)。CDM是三种模型中最难处理的情况,放电时间短,电流幅值大。放电路径与HBM和MM有差异。
CDM(Charged Device Model)测试方法是通过直接将静电电荷释放到被测物体上,模拟电子产品在制造和运输过程中产生的静电放电。测试时,被测物体与测试仪器连接,通过释放已经贮存了静电电荷的电源,将静电电荷直接释放到被测物体上,观察其是否受到损坏。 4. Latch-up测试方法 Latch-up测试方法是通过模拟电子产品在工作过程中...
,内部使用,建立合理有效的静电测试模型,对于有效控制产品防ESD的能力,非常重要。目前业界提出的通用静电模型有3种:人体模型(HBM)、机器静电放电模型(MM)、充电器件模型(CDM)。这3种模型适用不同的静电放电场合。其中最常用的是HBM模型。同样静电电压等级下,对器件的损MMCDMHBM。 目前产品规格书最常见的是HBM、MM...