网络释义 1. 直流电浆化学气相沉积 1.3.2直流电浆化学气相沉积(DC-PECVD) 17 1.3.3 微波电浆化学气相沉积(MPECVD) 18 1.3.4 小结 19 1.4 表面预处理机 … etds.lib.ncku.edu.tw|基于5个网页
电源维修范围:AE电源维修,美国MDX,MDXII,Pinnacle,Diamond系列AE电源维修,AE电镀电源维修,AE射频电源维修,电镀高频电源维修,刻蚀射频电源维修,RE射频电源维修,PECVD射频电源维修,大功率工业电源维修,UPS电源维修等各行业工业用电源维修 射频电源设备维修:刻蚀,RIE,PECVD,ICP,射频溅射,CVD和PVD等系统 凡经本公司维修过的...
Applied Surface Science Efficient field emission from coiled carbon nano / microfiber on copper substrate by dc-PECVDBanerjee, DJha, AChattopadhyay, K K
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pecvd 直流偏压高dc bias 高的原因 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)中高直流偏压(dc bias)的原因有以下几点: 1. 提高沉积速率:高直流偏压可以增加等离子体中的离子能量,使沉积的粒子具有更高的动能,从而增加了沉积速率。 2. 提高沉积质量:高直流偏压可以增加沉积表面的能量,从而有助于表面活化和净化,减少沉积过程...
The DC PECVD synthesis of CNTs consisted of two steps: (1) reduction with gaseous H 2 and NH 3 to form catalyst nanoparticles, and (2) subsequent CNT growth in the presence of gaseous H 2 and C 2 H 2 . High-resolution transmission electron microscopy images confirmed the presence of ...
一、PECVD非晶硅的制备技术 PECVD非晶硅是一种通过等离子体化学反应在基板上沉积非晶硅薄膜的技术。该技术的基本原理是将硅源气体(如SiH4)和氢气(H2)混合后,通过高频电场激发产生等离子体,使气体分子发生化学反应,生成非晶硅薄膜。PECVD非晶硅具有...
K. Low-macroscopic field emission from silicon-incorporated diamond-like carbon film synthesized by dc PECVD. Applied Surface Science, v. 253, n. 12, p. 5480-5484, 4/15/ 2007.Sk.F Ahmed,,M.K.Mitra,,K.K. Chattopadhyay.Low-macroscopic field emission from silicon-incorporated diamond-like ...
PECVD机的结构主要包括反应腔、电源、真空系统、气体控制系统和冷却系统等部分。反应腔是用来进行化学反应和薄膜沉积的空间,电源是用来产生等离子的源,真空系统是用来抽真空以保持反应腔内的低压,气体控制系统是用来控制反应气体的流量和组成,冷却系统是用来保持反应腔和电源的冷却。 产品工作原理: 在PECVD机中,气体在高...
PECVD技术是一种利用等离子体增强化学气相沉积法制备薄膜的技术。在光伏领域中,PECVD技术被广泛应用于制备光伏用薄膜,尤其是异质结光伏材料中的半导体薄膜材料,如硅薄膜、氮化硅薄膜等。PECVD技术制备的光伏薄膜具有较高的光电转换效率、稳定性好、成本低等优点,因此在光伏产业中得到了广泛应用。 二、PECVD技术的优势 ...