然后,使用去氘硅烷前体的感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-PECVD)过程,在250°C下沉积均匀的硅氮化物层(例如80纳米或800纳米)。氮化物层在50°C下使用感应耦合等离子体反应离子刻蚀机(ICP-RIE)刻蚀并进行图案化。最后,使用相同的去氘硅烷前体ICP-PECVD过程在250°C下沉积最终的二氧化硅包层。在未来,下包层也可...
它方便了复杂膜层的镀膜,例如AlOx/SiNy等不同材料的堆积。这一工具的关键特点在于ICP-PECVD技术。电感耦合等离子体(ICP)的激发可以在高沉积速度下完美控制SiNx、AlOx、SiOxNy等各种材料的膜层性能。 过程可变性、较小的工具占地面积,再加上低廉的总体“购置成本”,使得SINGULAR成为为现有生产线实现升级换代的理想之选。
SINGULAR XP ICP-PECVD是一种全自动的创新模块化PECVD镀膜工具,适用于晶硅太阳能电池的大规模生产。此外,SINGULAR正越来越多地应用于适用于高效太阳能电池钝化层的开发,不论电池是采用传统的还是新的电池概念。借此,镀膜设备同时满足了当前和未来光伏电池生产的需求 ...
ICP13.56MHz等离子体源PECV,等离子体源价格/报价,在 2.45 GHz 频率下产生的微波具有产生等离子体的特优势。在这个频率下,微波可以有效地与气体的电子共振,从而提高电离效率。此外,2.45 GHz 频率允许使用相对较小的腔体尺寸,这对于紧凑型等离子体源的设计非常有用。 微波
粗糙度沉积速率光谱诊断以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-PECVD)法制备了类金刚石薄膜,使用FTIR,AFM,台阶仪对薄膜进行了表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断(OES).研究了射频功率和基底在放电腔体中的位置对薄膜表面粗糙度,沉积速率和硬度的影响.实验结果表明:A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加...
网络释义 1. 电容耦合等离子体镀膜机 东方集成... ... 桌面型等离子体去胶机( RIE)电容耦合等离子体镀膜机(ICP-PECVD) 电容耦合等离子体镀膜机( CCP-PECVD) ... www.instrument.com.cn|基于2个网页 2. 沉积 ...应用,可配置进行电感耦合等离子体法(ICP)刻蚀和沉积(ICP-PECVD) ,反应离子刻蚀(RIE) ,等离...
一、分析了PECVD 系统中极板间距、射频频率、功率、衬底温度、气压、 反应气体组分和流量等主要工艺参数对 SiO 2 和氮化硅薄膜性能的影响。制备了 具有良好台阶覆盖能力的 PECVD SiO 2 薄膜。使用单一频率(13.56MHz)淀积 了耐腐蚀的低应力(<30MPa)氮化硅薄膜。 二、在ICP 刻蚀中,通过对F 基和Cl 基气体刻蚀机...
以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-PECVD)法制备了类金刚石薄膜,使用FTIR,AFM,台阶仪对薄膜进行了表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断(OES).研究了射频功率和基底在放电腔体中的位置对薄膜表面粗糙度,沉积速率和硬度的影响.实验结果表明:A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频...
Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。 刻蚀应用范围: 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和...
二、项目名称:薄膜沉积设备(PECVD)及刻蚀设备(ICP)采购项目 三、中标(成交)信息 供应商名称:北京北方华创微电子装备有限公司 供应商地址:北京经济技术开发区文昌大道8号 中标(成交)金额:1980.0000000(万元) 四、主要标的信息 序号 供应商名称 货物名称 货物品牌 货物型号 货物数量 货物单价(元) 1 北京北方华创微电...