在这个过程中,我们利用了ICP-PECVD与氘硅烷和氮气前体用于硅氮化物沉积,避免了使用氨气,因为传统的平行板PECVD无法实现氮气浓缩等离子体(ICP)诱导的N2的解离78,并且消除了氢吸收损耗47,55,57,60。我们的替代低温工艺包括溅射和传统的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)79,80,但两者都受到与高粒子计数相关的散射损耗的影...
Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。 刻蚀应用范围: 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和...
SINGULAR XP ICP-PECVD是一种全自动的创新模块化PECVD镀膜工具,适用于晶硅太阳能电池的大规模生产。此外,SINGULAR正越来越多地应用于适用于高效太阳能电池钝化层的开发,不论电池是采用传统的还是新的电池概念。借此,镀膜设备同时满足了当前和未来光伏电池生产的需求 ...
是主流的半导体设备商,研发、制造和销售良好的薄膜测量仪器(反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪)和等离子工艺设备(等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统)。 SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备,利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100ºC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现...
ICP13.56MHz等离子体源PECV,等离子体源价格/报价,在 2.45 GHz 频率下产生的微波具有产生等离子体的特优势。在这个频率下,微波可以有效地与气体的电子共振,从而提高电离效率。此外,2.45 GHz 频率允许使用相对较小的腔体尺寸,这对于紧凑型等离子体源的设计非常有用。 微波
网络释义 1. 电容耦合等离子体镀膜机 东方集成... ... 桌面型等离子体去胶机( RIE)电容耦合等离子体镀膜机(ICP-PECVD) 电容耦合等离子体镀膜机( CCP-PECVD) ... www.instrument.com.cn|基于2个网页 2. 沉积 ...应用,可配置进行电感耦合等离子体法(ICP)刻蚀和沉积(ICP-PECVD) ,反应离子刻蚀(RIE) ,等离...
二、项目名称:薄膜沉积设备(PECVD)及刻蚀设备(ICP)采购项目 三、中标(成交)信息 供应商名称:北京北方华创微电子装备有限公司 供应商地址:北京经济技术开发区文昌大道8号 中标(成交)金额:1980.0000000(万元) 四、主要标的信息 序号 供应商名称 货物名称 货物品牌 货物型号 货物数量 货物单价(元) 1 北京北方华创微电...
是主流的半导体设备商,研发、制造和销售良好的薄膜测量仪器(反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪)和等离子工艺设备(等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统)。 SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备,利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100ºC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现...
符合半导体行业 S2 / S8标准应用:· III-V族刻蚀工艺·硅 Bosch和超低温刻蚀工艺· 类金刚石· 类金刚石(DLC)沉积· 二氧化硅和石英刻蚀· 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆· 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、...
薄膜沉积设备(PECVD)及刻蚀设备(ICP)招标项目的潜在投标人应登录“远东招标采购交易网(www.szyd11.com)”下载获取招标(采购)文件,并于2024年12月19日09:30(北京时间)前递交投标文件。 二、项目基本情况: 1. 项目编号: 0722-2024FE2779SZF-0 2. 项目名称:薄膜沉积设备(PECVD)及刻蚀设备(ICP)采购项目 3. 数...