本文作者实现了在厚氮化硅膜和薄氮化硅膜上,采用低温ICP--PECVD技术沉积出无需退火和cmp即可达到1.77 dB/m的损耗和约1500万的固有Q值的氮化硅薄膜。 本文主干 行业发展面临的问题(目前遇到了什么问题,作者的方案解决了什么问题) 作者的解决方案及实际数据 补充文件--主要介绍了工艺流程等细节 Fig-a:氮化硅光波导...
性和ICP 的刻蚀特性以及两种技术在相关器件中的应用。主要内容包括以下几个 方面: 一、分析了PECVD 系统中极板间距、射频频率、功率、衬底温度、气压、 反应气体组分和流量等主要工艺参数对 SiO 2 和氮化硅薄膜性能的影响。制备了 具有良好台阶覆盖能力的 PECVD SiO 2 薄膜。使用单一频率(13.56MHz)淀积 了耐腐蚀...
意向详情: 陕西光电子先导院科技有限公司需要采购ICP和PECVD,寻求优质供应商. 来晚啦,当前用户需求已被“其他公司”承接,您可查看下方【相似商机】获取更多线索。推荐您订阅类似商机,第一时间获取销售线索。 登录后查看可解锁条数 以上信息由用户提供并负责真实、准确、合法性,请谨慎甄别,如发现违法/侵权信息,请与...