根据制备原理与工艺不同，平面陶瓷基板可分为薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DBC)、直接敷铝陶瓷基板(DBA)、直接电镀铜陶瓷基板(DPC)、活性金属焊接陶瓷基板(AMB)、直接溅射铜陶瓷基板(DSC)和激光活化金属陶瓷基板(LAM)等。图2.IGBT功率模块实物示意图 来源：百图 陶瓷基板可广泛应...
图1.IGBT模块封装结构示意图 根据制备原理与工艺不同,平面陶瓷基板可分为薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DBC)、直接敷铝陶瓷基板(DBA)、直接电镀铜陶瓷基板(DPC)、活性金属焊接陶瓷基板(AMB)、直接溅射铜陶瓷基板(DSC)和激光活化金属陶瓷基板(LAM)等。 图2.IGBT功率模块实物示意图...
在选择覆铜陶瓷基板时，企业应根据自身需求综合考虑功率等级、环境应力和系统集成度等因素。对于超高压、大电流场景，AMB基板是首选；对于中高功率且成本敏感的项目，DBC基板是不错的选择；而对于低功率、高集成需求的领域，DPC基板则更具优势。
DBC(直接键合铜)技术和AMB(活性金属钎焊)技术,目前最常见的两种基板敷铜工艺,下面是两种制造过程的简单示意图。 DBC的基本原理是在铜和陶瓷基板之间引入氧元素,在约1000℃时形成Cu/O共晶液相,进而与陶瓷基板进行粘附。但AlN和Si3N4等则需要首先在其表面进行一层氧化,才能够满足...
DBC直接键合铜和AMB 活性金属钎焊工艺介绍 1、直接键合铜 DBC是将铜在高温下通过热熔结合的方法直接与AI2O3和AIN陶瓷表面结合而成的复合基板,在覆铜表面上,可以根据电路设计或产品结构蚀刻相应的图案,已经广泛用于智能电源模块和电动汽车电源模块的封装。
AMB结构图 AMB切面图 通过钎焊实现陶瓷表面覆铜的AMB基板,相比DBC基板,其结合强度更高,可靠性也更好。AMB基板中的陶瓷一般是Si3N4陶瓷和AlN陶瓷,二者的导热性能(Si3N4 AMB>80W/m·K, AlN AMB>170 W/m·K)远高于Al2O3 DBC(24W/m·K)。另外Si3N4 AMB还拥有出色的机械强度。
图 DBC基本工艺流程 AMB陶瓷基板 AMB陶瓷覆铜板采用的是AMB活性钎焊工艺做铜，铜层结合力比DPC要高，在18n/mm以上，高的达到21n/mm以上。AMB陶瓷覆铜板通常结合力高，通常做的铜较厚，在100um~800um之间，一般很少做线路或者打孔，就算有线路也是非常简单，间距比较宽。图 AMB基本工艺流程 ...
成本可控:相较于AMB和DPC,DBC的成本相对较低。 均衡性能:DBC基板具有均衡的导热性和电气性能,适用于中高功率场景。 DPC陶瓷覆铜基板|DPC陶瓷电路板|陶瓷PCB-南积半导体 2.应用场景对比 DPC 应用领域:激光雷达、高精度传感器、5G通讯、工业射频、大功率LED、混合集成电路等。
陶瓷基板也有成为陶瓷电路板、陶瓷线路板、陶瓷pcb板等,陶瓷基板根据陶瓷基片材料不同,可以分为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氮化硅陶瓷基板、碳化硅陶瓷基板等,根据不同工艺又可以分为DPC陶瓷基板、DBC陶瓷基板、AMB陶瓷基板、HTCC陶瓷基板、LTCC陶瓷基板等;根据层数可以分为单、双面陶瓷基板、多层陶瓷基板。陶瓷基板...
一、DBC直接键合铜和AMB 活性金属钎焊工艺介绍 1、直接键合铜 DBC是将铜在高温下通过热熔结合的方法直接与AI2O3和AIN陶瓷表面结合而成的复合基板，在覆铜表面上，可以根据电路设计或产品结构蚀刻相应的图案，已经广泛用于智能电源模块和电动汽车电源模块的封装。2、活性金属钎焊 AMB技术是DBC技术的进一步发展，是利用...