图1.IGBT模块封装结构示意图 根据制备原理与工艺不同,平面陶瓷基板可分为薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DBC)、直接敷铝陶瓷基板(DBA)、直接电镀铜陶瓷基板(DPC)、活性金属焊接陶瓷基板(AMB)、直接溅射铜陶瓷基板(DSC)和激光活化金属陶瓷基板(LAM)等。 图2.IGBT功率模块实物示意图...
根据制备原理与工艺不同，平面陶瓷基板可分为薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DBC)、直接敷铝陶瓷基板(DBA)、直接电镀铜陶瓷基板(DPC)、活性金属焊接陶瓷基板(AMB)、直接溅射铜陶瓷基板(DSC)和激光活化金属陶瓷基板(LAM)等。图2.IGBT功率模块实物示意图 来源：百图 陶瓷基板可广泛应...
根据制备原理与工艺不同,平面陶瓷基板可分为薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DBC)、直接敷铝陶瓷基板(DBA)、直接电镀铜陶瓷基板(DPC)、活性金属焊接陶瓷基板(AMB)、直接溅射铜陶瓷基板(DSC)和激光活化金属陶瓷基板(LAM)等。 陶瓷基板可广泛应用于大功率LED照明、汽车大灯等车载激光雷...
AMB(Active Metal Brazing,活性金属钎焊):AMB是在DBC技术的基础上发展而来的,在 800℃左右的高温下,含有活性元素 Ti、Zr 的 AgCu 焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应,从而实现陶瓷与金属异质键合。 综上述五大工艺种中,HTCC\LTCC都属于烧结工艺,成本都会较高。而DBC与DPC则为国内近年来才开发成熟,且能量产化的专...
AMB结构图 AMB切面图通过钎焊实现陶瓷表面覆铜的 AMB 基板,相比 DBC 基板,其结合强度更高,可靠性也更好。但AMB 陶瓷基板开发技术难度大,活性焊料、陶瓷材料等基础材料是核心,高端原材料国产化较低,主要依赖进口。目前AMB 陶瓷基板主要市场被国外欧、美、日、韩、等大厂企业掌握,国内 AMB 陶瓷基板生产技术相对于国...
DBC直接键合铜和AMB 活性金属钎焊工艺介绍 1、直接键合铜 DBC是将铜在高温下通过热熔结合的方法直接与AI2O3和AIN陶瓷表面结合而成的复合基板,在覆铜表面上,可以根据电路设计或产品结构蚀刻相应的图案,已经广泛用于智能电源模块和电动汽车电源模块的封装。
DBC的基本原理是在铜和陶瓷基板之间引入氧元素,在约1000℃时形成Cu/O共晶液相,进而与陶瓷基板进行粘附。但AlN和Si3N4等则需要首先在其表面进行一层氧化,才能够满足传统的DBC工艺。 AMB的基本原理是在900℃的温度下,含有活性元素Ti、Zr的焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应,从而...
我们可以看到,相同条件下,Si3N4的DBC基板比常见的Al2O3的DBC基板抗热冲击的能力提高了20倍,而其AMB基板(0.5mm铜层)更是超过了50倍。 电绝缘性能 对几种陶瓷基板进行了局部放电和击穿强度测试,测试条件:球电极50Hz交流电,变化速率1kV/s,在5kV下测量局部放电,增加电压直到出现击穿。测试结果如下, ...
DBC的基本原理是在铜和陶瓷基板之间引入氧元素,在约1000℃时形成Cu/O共晶液相,进而与陶瓷基板进行粘附。但AlN和Si3N4等则需要首先在其表面进行一层氧化,才能够满足传统的DBC工艺。 AMB的基本原理是在900℃的温度下,含有活性元素Ti、Zr的焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应,从而实现粘合。
一、DBC直接键合铜和AMB 活性金属钎焊工艺介绍 1、直接键合铜 DBC是将铜在高温下通过热熔结合的方法直接与AI2O3和AIN陶瓷表面结合而成的复合基板，在覆铜表面上，可以根据电路设计或产品结构蚀刻相应的图案，已经广泛用于智能电源模块和电动汽车电源模块的封装。2、活性金属钎焊 AMB技术是DBC技术的进一步发展，是利用...