CoolMOS™ 8 MOSFET还比同类竞品具有更高的电流处理能力,且拥有最小的导通电阻(RDS(on))与面积乘积。 但这对设计人员和工程师意味着什么呢?CoolMOS™ 8在最终面向消费和工业市场推出后,将大大简化英飞凌客户的产品选型;因为相比已有的CoolMOS™ 7产品系列,它的产品数量减少了50%以上。在CoolMOS™ 7产品系...
MOSFET是电压控制型器件,功率MOSFET的源、漏电极不在同一平面内,也称为纵向MOSFET(即VMOSFET),其具有很多不同于横向MOSFET的特点,一般把功率MOSFET看作一个由横向MOSFET驱动的纵向JFET器件,图6显示了功率MOSFET包含寄生器件在内的等效原理图,其中Lg、Ld、Ls分别为MOSFET的栅极、漏极、源极的引线电感,Rg为MOSFET内部栅...
Cool MOSFET的通态电阻为普通的VDMOSFET的1/5,开关损耗因此减为普通的VDMOSFET的1/2,但是Cool MOSFET固有的反向恢复特性的动态特性不佳。 (2)主要电气性能比较 Cool MOSFET和其他MOSFET种类繁多,为了能有一个直观的印象,现对SPP20N60CFD(Cool MOSFET)、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50进行主要电气性能比较,见表...
应用广泛的创新型 MOSFET 晶体管 —— 了解更多有关 500 V - 950 V CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 产品系列的信息 CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 产品系列应用广泛,适合低功率至高功率应用。英飞凌 MOSFET 晶体管在易用性、出色性能与价格优势之间取得了巧妙平衡。 此外,汽车级超结 (SJ) MOSFET 还具备高现场可靠性...
CoolSiC™ MOSFET模块技术采用不同封装和拓扑 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。碳化硅(SiC)半导体用作开关时,支持更高的工作温度和开关频率,从而提升整体系统效率。此外,碳化硅(SiC)功率模块 RDS 从 52.9 mOhm到1.44 mOhm ,可针对不同的应用...
IGBT FRD 碳化硅MOSFET 碳化硅二极管 超结MOSFET(COOL MOSFET) 中低压MOSFET 高压平面MOS扬州扬杰NCE 无锡新洁能天二电阻航天磁电晶艺半导体联系方式全国咨询热线0755-23776446 深圳瑞枫达电子科技有限公司 地址:深圳市龙华区民治街道1079号展滔科技大厦A座2002 电话:0755-23776446 手机:13430678500 洪先生 邮箱:sales@...
cool mosfet 应用分享: COOL MOSFET的EMI设计指南本文简述功率在转换器电路中的转换传输过程,针对开关器件MOSFET在导通和关断瞬间,产生电压和电流尖峰的问题,进而产生电磁干扰现象,通过对比传统平面MOSFET与超结MOSFET的结构和参数,寻找使用超结MOSFET产生更差电磁干扰的原因,进行分析和改善。
Cool MOSFET的通态电阻为普通的VDMOSFET的1/5,开关损耗因此减为普通的VDMOSFET的1/2,但是Cool MOSFET固有的反向恢复特性的动态特性不佳。 2.主要电气性能比较 Cool MOSFET和其他MOSFET种类繁多,为了能有一个直观的印象,现对SPP20N60CFD(Cool MOSFET)、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50进行主要电气性能比较,见表1...
首先,Cool MOSFET具有更低的导通电阻和更低的开关损耗,能够在高频率下工作,提高器件的能效。其次,Cool MOSFET具有更好的热稳定性和耐压能力,能够在高温环境下长时间工作,提高器件的可靠性和寿命。此外,Cool MOSFET还具有更快的开关速度和更小的开关电流,能够实现更快的功率开关和更小的电源噪声。
分立器件1200V TO-247-4HC 高爬电距离 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-...