超结MOSFET垂直方向上插入P型区,可以补偿过量的电流导通电荷,在漂移层加反向偏置电压,将产生一个横向电场,使PN结耗尽,当电压达到一定值时,漂移层完全耗尽,将起到电压支持层的作用,使器件的击穿电压仅依赖N-漂移区的厚度,而与N-区和P阱区的掺杂浓度无关,且这种电荷补偿越充分,击穿电压越高。由于掺杂浓度的大幅提...
“SLKOR” 品牌创立于2005年,专业从事功率元器件的设计、生产和销售。主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件等。2010年开始研发生产第三代半导体碳化硅SiC元器件,其设计、工艺和性能居世界前列。
2024年6月26日讯,英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了...
600 V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET系列,新器件继承了上一代P7、PFD7、C7、CFD7、G7和S7产品的优点,配备了快速体二极管,非常适合服务器、工业开关电源(SMPS)、电动汽车充电器和微型太阳能系统等应用。 主要特点: ● 封装选项:SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8x8。 ● 电气性能: ◎栅极电荷(Q_g)比CFD7...
1. COOLMOS的前世今生 COOLMOS也就是super junction MOS由于大家习惯沿用了英飞凌的叫法,所以一直叫COOLMOS,也叫超结MOS。 (以下文字参考西安芯派电子上海研发中心刘博士的论文及相关网络资料) 1988 年,飞利浦美国公司的 D.J.Coe 申请了编号为 US Pat:4754310 的美国专利,第一次提出了在 LDMOS 结构的基础上,采...
2024年6月24日讯,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS™ S7T）取得的进步基础上，显著提高...
新品 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列 英飞凌最新推出的600V CoolMOS™ 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展，在全球范围内树立了技术和性价比标准。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS™ 7产品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它...
COOLMOS(超结MOS) 超结金氧半场效晶体管(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,SJ MOSFET) SJ MOSFET的技术主要有两种,其一为由英飞凌(Infineon)开发的多磊晶技术,藉由掺杂(doping)磊晶在磊晶层上形成岛状的掺杂区域,使该区域扩散形成一个氮掺杂(N-doped)平面。
CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET系列、CoolGaN™双向开关(BDS)和CoolGaN Smart Sense新产品结合使用时,通过发挥滤波和储能、能量存储、减小功耗、热管理、降低ESR和ESL、提高系统可靠性等作用,使其与英飞凌的先进半导体技术结合过程中,电源系统在多个应用领域中实现了性能提升、可靠性增强、热性能优化和成本效益的最...
英飞凌CoolMOS功率晶体管提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点。结合最新一代CoolMOS 7,英飞凌继续在价格、性能和质量方面设定基准。英飞凌CoolMOS 超结mosfet在低功率SMPS,地址应用,如智能手机/平板电脑充电器...