（3.3 kW）LLC级与（2.5 kW）PFC级之间的相对效率比较 CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装，相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能，有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小，有助于实现高功率密度；且充分利用了英飞凌先进的互连技术，提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小...
英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士,在2023英飞凌工业功率技术大会(IPAC)上,发表了《增强型M1H CoolSiC™ MOSFET的技术解析及可靠性考量》的演讲,深入剖析了CoolSiC™ MOSFET的器件结构,以及M1H芯片在可靠性方面的卓越表现。查看视频回放:《增强型M1H CoolSiC™ MOSFET的技术解析及可靠性考量》演讲 本文...
沟槽栅型 IGBT 利用垂直的沟槽结构,在相同的芯片面积内可以形成更多的沟道。更多的沟道意味着在导通时能够允许更多的电流通过,相当于降低了单位面积的电阻,进而降低了通态压降。 增加近表面载流子浓度 沟槽栅的结构特点使得在栅极附近的电场分布发生变化,这种变化有利于在近表面区域积累更多的载流子。 近表面载流子浓度的...
1. 结构与设计 平面MOSFET：传统的平面MOSFET具有相对简单的结构，其主要特点是源极、漏极和栅极平面排列，制造工艺成熟，广泛应用于各种电子设备中。然而，由于其结构限制，平面MOSFET在高电压、高频率和高温环境下的性能表现相对较弱。CoolMOS：相比之下，CoolMOS采用了先进的垂直结构设计，这种设计使得器件在高电压下...
CoolMOS是英飞凌科技公司推出的一种高压功率MOSFET。与传统的MOSFET相比，CoolMOS采用了创新的半导体结构，使得它在处理高电压和大电流时，能够显著降低导通电阻和功耗，从而提高整体效率。技术特点 低导通电阻：CoolMOS的核心优势在于其极低的导通电阻。这意味着在导通状态下，器件的能量损耗更小，发热量更低。高能效：...
cool mosfet介绍 什么是cool mosfet,对于常规VDMOS 器件结构, Rdson 与BV 这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI 参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI 参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson 就大了。Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。
增强型M1H CoolSiC芯片又“强“在哪里?英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士,在2023英飞凌工业功率技术大会(IPAC)上,发表了《增强型M1H CoolSiC MOSFET的技术解析及可靠性考量》的演讲,深入剖析了CoolSiC MOSFET的器件结构,以及M1H芯片在可靠性方面的卓越表现。点击视频可观看回放。
CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装,相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能,有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小,有助于实现高功率密度;且充分利用了英飞凌先进的互连技术,提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小巧,但在电路板温度循环试验中的故障率与采用TOLL封装的器件非常接...
5 改善使用超结 MOSFET 的反激变换器的电磁干扰措施 通过对反激变换器的工作原理,电磁干扰的产生原因,MOSFET的等效原理图,以及平面MOSFET与超结MOSFET的结构和参数对比分析,可以看出使用超结MOSFET虽然降低了反激变换器的损耗和驱动功率,但是由于开关管的开关速度提高,增大了电压和电流变化率,使反激变换器的电磁干扰增...
5 改善使用超结 MOSFET 的反激变换器的电磁干扰措施 通过对反激变换器的工作原理,电磁干扰的产生原因,MOSFET的等效原理图,以及平面MOSFET与超结MOSFET的结构和参数对比分析,可以看出使用超结MOSFET虽然降低了反激变换器的损耗和驱动功率,但是由于开关管的开关速度提高,增大了电压和电流变化率,使反激变换器的电磁干扰增...