www.infineon.com/coolmos Share 英飞凌 MOSFET——各种设计条件下的质量 Share 质量第一。英飞凌是功率半导体行业的领导者,长期以来一直致力于为客户提供安全的选择和可靠的性能。 英飞凌利用庞大的内部设施,与合作伙伴、分包商和代工厂合作,以确保足够的产能和灵活性。
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英飞凌infineon CoolSiC MOSFET 窗口指南.pdf,欢迎阅读本篇英国飞凌infineonCoolSiCMOSFET窗口指南摘要文章主要阐述了英飞凌公司的冷却硅晶体管CoolSiCMosFET的设计原则,包括其基本参数工作状态和应用影响等此外,还包含了冷却硅晶体管如何受到栅极截止电压VGSth漂移的影响
Infineon CoolMOS™ 功率晶体管 根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗 Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术，该技术根据超结原理 (SJ) 设计，并由 Infineon率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验，并兼具高度...
www.infineon.com/coolmos CoolMOS™ SJ MOSFETs Trusted leader in high voltage MOSFETs The revolutionary CoolMOS™ power MOSFET family sets new standards in the field of energy efficiency. Our CoolMOS™ products offer a significant reduction of conduction, switching and driving losses, and enable...
Infineon推出了革命性的CoolSiC™MOSFET技术,实现了全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化硅(SiC)功率MOSFET提供了一系列优势,包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。采用分立封装,提供从400 V到2000 V的CoolSiC...
无论是平面型还是沟槽型 IGBT,电流都是垂直流动的。 我们所熟知的所有电力电子器件,如 IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、晶闸管以及功率二极管,为满足耐压要求,电流都是垂直流动的。 具体到 IGBT 而言,空穴电流从背面的集电极流向正面的发射极(红色);电子电流从发射极出发,穿过表面反型沟道,流向背面的集...
Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术,该技术根据超结原理 (SJ) 设计,并由 Infineon率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验,并兼具高度的创新性。它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时,丝毫没有牺牲易用性。极低的开...
Infineon C..根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术,该技术根据超结原理 (SJ) 设计,并
SiC MOSFET芯片面积小，电流密度高，发热集中，所以SiC MOSFET的短路时间大大小于IGBT，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证至多3us的短路时间，而模块保证至多2us的短路时间。在这么短的时间内识别出短路并关断功率器件，这对驱动芯片提出了非常高的要求。什么样的驱动芯片能满足SiC MOSFET的种种挑剔要求？英飞凌EiceDriver ...