SiC材料的禁带宽度(3.3eV)和临界击穿电场(3MV/cm)远超硅(1.1eV, 0.3MV/cm),使得国产650V SiC MOSFET(比如BASiC基本股份)的导通电阻(RDS(on))更低,开关速度更快,尤其在高频(100kHz以上)下损耗显著降低(开关损耗仅为超结MOSFET的1/5~1/3)。 通信电源需适应5G基站等高负载场景,高频化可大幅减小电感、变压器...
当工作在CCM模式时,次级二极管保持导通直至MOSFET栅极导通,而MOSFET导通时,次级二极管的反向恢复电流被添加至初级电流,因此在导通瞬间初级电流上出现较大的电流浪涌;当工作在DCM模式时,由于次级电流在一个开关周期结束前干涸,Lp和MOSFET的Coss之间发生谐振。
MOSFET是电压控制型器件,功率MOSFET的源、漏电极不在同一平面内,也称为纵向MOSFET(即VMOSFET),其具有很多不同于横向MOSFET的特点,一般把功率MOSFET看作一个由横向MOSFET驱动的纵向JFET器件,图6显示了功率MOSFET包含寄生器件在内的等效原理图,其中Lg、Ld、Ls分别为MOSFET的栅极、漏极、源极的引线电感,Rg为MOSFET内部栅...
650V CoolMOS™ CFD2 超结 MOSFET 的特性、优势和应用 特性 市场上首项使用集成快速体二极管的650V技术 硬换流过程中电压过冲受限 与600V CFD技 术相比,Qg显著降低 RDS(on)max 对 RDS(on)typ 的窗口更窄 设计导入容易 价格低于 600V CFD 超结技术 ...
Cool Mos是什么意思 06月07日 CoolMOS 是一种高性能的超结(Superjunction)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)开发。这种器件主要应用于电源转换和电源管理领域,具有高效能、高开关速度、低导通电阻等特点。 以下是 CoolMOS 的一些主要特性和优点: 高效率:...
2024年6月26日讯,英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案,丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。
【2025年3月27日, 德国慕尼黑讯】EnphaseEnergy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的 600 V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET产品系列,简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。
摘要:高压超结MOSFET技术解决方案。 英飞凌CoolMOS 8 SJ MOSFET是高压超结MOSFET技术解决方案。英飞凌CoolMOS 8具有集成的快速体二极管,是各种应用的理想选择。作为600V CoolMOS 7 MOSFET系列的继任者,CoolMOS 8增强了英飞凌的宽带隙(WBG)产品组合。 特性
【二、SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT特性对比】2.1 说说SiC MOSFET的一些特点 硅碳场效应管（SiC MOSFET）是个超棒的电力电子元件，它既有硅的好处，又不怕高温、高频和高电压。因为这种管子反应快、耐压强，所以在电力电子界成了新星。它的电子跑得快，就是说在同样的电场里，它的电荷小跑车能嗖嗖地前进，...