ICP中电子会围绕着磁感线做回旋运动(因此ICP中电子运动距离大于CCP中电子运动距离),较CCP机台中电子的平均自由程更大,因此可以在更低的chamber压力下激发出plasma,因此ICP中plasma密度比CCP plasma密度高约10~20倍,也因此ICP中plasma U%不如CCP。相比较于CCP,ICP的离子密度和离子能量可以独立控制(SRF控制离子密度,BR...
中加速产生等离子体。离子化率高,但是plasma 均一性差。 CCP 和 ICP 比较 CCP 有RIE (Reactive Ion Etching) 和PE (Plasma Enhanced, Sputter Depostion) 两种模式。 Ground area= Ground electrode + wall。 面积小的电极电压更大 (self DC bias) RIE:Powered electrode 面积< Ground electrode 面积,Wafer端...
型号 ccp刻蚀设备与ICPJL-VM200 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活...
CCP中，电子在电极间高频往返运动，要求电极间距大、压力高以产生较高浓度plasma。压力影响离子入射角度，高压力导致鞘层内离子发散。这种特性限制了CCP在高阶制程的应用。电感耦合等离子体（ICP）原理与特性ICP通过在Chamber顶部绝缘板上的漩涡状感应线圈施加射频电流，感应出高频振荡磁场，产生低温plasma。ICP...
这种设计使得在ICP中，源RF功率用于生成高密度等离子体（HDP），而bias RF功率则用于精细调控离子能量，特别是在低压环境下，如在干蚀刻中，ICP能更好地维持垂直刻蚀轮廓，产生所需的Plasma。由于CCP在低压下难以形成等离子体，ICP的发明解决了在低压力和高离子密度、低离子能量之间的平衡问题，使得等离子体...
回复@投资的初心: ccp和icp只是等离子体产生机制不同,plasma如何轰机还是要靠机台的进一步控制,和能量,离子密度有关系。线宽再光刻和研膜确定后,离子轰击后的精准度当然也有要求。至于各向同性和各向异性这个问题应该不是这个层面的问题,干法和湿法的区别,我的理解。但目前了解到的信息,中微的机台inline后,刚上去跑...
主营商品:等离子清洗机、真空等离子清洗机、大气等离子清洗机、等离子表面处理机、等离子清洗设备、plasma清洗机、等离子去胶机、等离子刻蚀机、小型等离子清洗机、plasma、表面处理、表面活化、表面改性、电晕处理机、电晕机、等离子、亲水处理、除尘、除静电、等离子清洗 进入店铺 全部商品 11:07 j** 联系了该商品的商...
A hybrid-type plasma reaction apparatus is provided to effectively perform a waferless in-situ chamber clean process as compared with a CCP(capacitive coupled plasma)-type reaction apparatus by maximizing the advantage of high efficiency, low ion damage, a decoupled effect and the like. An ICP(...
plasma RIEICPTCPCCP Reactive Ion Etching Inductively coupled plasma transformer coupled plasma Capacitively Coupled Plasma 806-8 RIEchamber powerplasma RIE Interaction between ions & neutral reactive species (radicals) in a reactive gas Top = grounded Bot = RF 13.56MHz Bot = negatively biased (self_...
process mechanism is similar to dry etch. dry etch has two way to produce plasma , ICP and ...