Plasma viewVertical Radial or Vertical Duo Start up time1 hour (from off)15 minutes (from standby)5 minutes (from standby) Wavelength rangeiFR mode 167.021 nm - 852.145 nmiFR mode 167.021 nm - 852.145 nm eUV mode 167.021 nm - 240.063 nm ...
The possibilities of inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry (ICP-AES) for the chemical characterization (dopants, impurities, and macroconstituents) of perovskite ceramic semiconductors (PTC thermistors, varistors, manganites, cobaltites) are shown. The dissolution of the samples is ...
Our robust ICP-OES systems offer easy-to-use software and multi-element detection technology far superior to that of single-element AAS and multi-element microwave plasma techniques. They are ideal for laboratories with low sample through...
ICP 即:电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)一般指电离度超过0.1%被电离了的气体,这种气体不仅含有中性原子和分子,而且含有大量的电子和离子,且电子和正离子的浓度处于平衡状态,从整体来看是中性…
ICP-MS全称是电感耦合等离子体-质谱法(Inductively coupled plasma-Mass Spectrometry)它是一种将ICP技术和质谱技术结合在一起的分析仪器。自1984年第一台商品仪器问世以来,这项技术已从最初在地质科学研究的应用迅速发展到广泛应用于材料、化工、生物、医学、冶金、石油、环境等领域。 ICP-MS法具有样品制备和进样技术...
半导体刻蚀工艺技术ICP(Inductively Coupled Plasma)是一种用于半导体材料刻蚀的高效、精确、无污染的工艺技术。ICP技术通过利用电离等离子体进行化学反应,将材料表面的部分物质去除,从而实现对半导体芯片的制造和加工。 ICP技术的工作原理是利用高频电磁场产生等离子体,通过射频电极的激励,将工作气体(如氩气、氟气、氧气等)...
The short version: The ICP-AES method of elemental analysis uses an inductively coupled plasma to produce excited atoms and ions of the elements in the sample to be measured, whose characteristic spectrum is measured using atomic emission spectrometry (AES) as they return to their ground state. ...
网络电感耦合等离子体;感应耦合等离子区 网络释义
电感耦合等离子体质谱法（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry，简称ICP-MS）是一种常用的分析技术，用于元素和同位素的定量和定性分析。以下是ICP-MS的一些优点和缺点：优点：1.高灵敏度：ICP-MS具有很高的灵敏度，能够检测到超低浓度的元素，通常可达到百万分之一甚至更低的级别。2.宽线性范围：ICP-MS具有...
1、半导体刻蚀工艺技术ICP摘要:ICP技术是微纳加工中的常用技术之一,本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductively coupled plasma)的基本原理和刻蚀设备的结构,对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做了简要分析。阐述了ICP刻蚀参数对刻蚀结果的影响以及干法刻蚀的生成物。由于ICP技术在加工过程中可控性高,具有越来越重要的地位。以...