半导体CCP,即电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma),是半导体制造中的一种重要技术。它通过在两个平行的电极之间施加射频电压,形成一个电容性的鞘层。当电子到达这个快速变动的鞘层时,它们会被反射并获得能量,进而引发气体分子的离解或电离,从而产生等离子体。这种技术...
CCP刻蚀,全称为电容耦合等离子刻蚀(Capacitively Coupled Plasma Etching),是半导体制造中一种关键的刻蚀技术。其工作原理主要基于电容耦合产生的等离子体对材料进行高精度刻蚀。 在CCP刻蚀过程中,设备主要由两块平行金属板组成,它们相隔一小段距离并分别作为电容器的两个极板。典型的CCP系统采用单个...
CCP全称是Capacitively Coupled Plasma,即电容耦合等离子。是一种广泛用于芯片制造刻蚀的工艺,能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆材料。 CCP工作原理: 电容耦合等离子体刻蚀由两块平行金属板组成,…
CCP全称是Capacitively Coupled Plasma,即电容耦合等离子。是一种广泛用于芯片制造刻蚀的工艺,能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆材料。 CCP工作原理:电容耦合等离子体刻蚀由两块平行金属板组成,两个金属电极相隔一小段距离。反应器中的气体压力可以小于或等于大气压。典型的 CCP 系统由单个射频(RF) 电源驱...
ICP (Inductively Coupled Plasma)是一种高功率高密度等离子体刻蚀技术,适用于导体材料的刻蚀。该技术利用高频电场激发气体放电产生等离子体,在网络状电极中加入高频电源,产生高密度等离子体,能够快速刻蚀导电材料。 CCP (Capacitively Coupled Plasma)是一种低功率低密度等离子体刻蚀技术,适用于介质材料的刻蚀。该技术利用...
CCP,即电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma)技术,在芯片制造过程中发挥着关键作用。它主要应用于芯片的刻蚀工艺,通过产生等离子体来精确地去除硅片上的特定材料,从而形成所需的电路图案。这种技术在制造高精度、微细结构的芯片时尤为重要。 二、刻蚀CCP的工作原理 在芯片制造过程中,刻蚀是一道至关重...
CCP全称是Capacitively Coupled Plasma,即电容耦合等离子。是一种广泛用于芯片制造刻蚀的工艺,能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆材料。 CCP工作原理:电容耦合等离子体刻蚀由两块平行金属板组成,两个金属电极相隔一小段距离。反应器中的气体压力可以小于或等于大气压。典型的 CCP 系统由单个射频(RF) 电源驱...
在半导体干法刻蚀中,主要有两种设备:电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma,CCP)刻蚀、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP) 两者原理有什么不同? CCP:在上下两个电极板上施加射频电压产生等离子体,上端电极与等离子体之间形成一个电容。电子在电场的作用下获得能量,进而引发气体分子的电离;离子受到电...
CCP (Capacitively Coupled Plasma,电容耦合等离子体) 刻蚀是一种常用的微纳加工技术,广泛应用于集成电路、纳米器件制备等领域。本文将深入探讨CCP刻蚀的工作原理,涵盖了其基本概念、装置结构、放电过程、物理原理和应用等方面的内容。 2. CCP刻蚀装置结构 CCP刻蚀装置主要由等离子体反应室和上下电极组成。等离子体反应室...
CCP(Capacitively Coupled Plasma)刻蚀是一种常用的微纳加工技术,广泛应用于半导体器件制造、光学器件制造、生物芯片制造等领域。其基本原理是利用高频交变电场产生等离子体,在等离子体作用下将材料表面进行化学反应和物理碰撞,从而实现对材料的刻蚀。 二、高频功率源 CCP刻蚀系统中的高频功率源是产生等离子体所必需的关键...