结果显示,ZnO:B薄膜与SiOx钝化层之间形成了较好的界面匹配和化学稳定性,有利于电子的传输和空穴阻挡层的形成。XPS能谱显示B掺杂可以促进氧空位的生成,有效改善ZnO:B薄膜的电学性质。B掺杂后,ZnO薄膜的功函数从4.15 eV降低到3.82 eV...
求解释：XPS分析中(C-Si)/(Si-C) 是什么意思？
SiO2/金刚石制备的C-Si界面被认为适用于高压和高温应用,与C-H键相比,金刚石中的C与SiO2中的Si直接键合可以提供更可靠的稳定性,更适合于半导体工业的应用。 本文研究了C-Si界面(111)金刚石MOSFET的电学特性,通过高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、电子能量损失(EELS)和x射线光电子能谱(XPS)对SiO2/(111)金刚石界面...
原位XPS、原位XRD、原位Raman、原位FTIR 加急测试 朱老师 学研汇技术经理 158 7177 4683 www.xueyanhui.com
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为了推动金刚石材料电子器件的发展,加快国内外金刚石基MOSFETs的研究进程,近日,北京科技大学碳基材料与功能薄膜团队刘金龙副研究员与早稻田大学Hiroshi Kawarada教授课题组合作研究了C-Si界面(111)金刚石MOSFET的电学特性,通过高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、电子能量损失(EELS)和x射线光电子能谱(XPS)对SiO2/(111)金刚...
These two metastable transition states, denoted by state I and II respectively, and the final disilicide (state III, ≈700°C) are additionally studied by means of a number of quantitative techniques, such as RBS, XPS and AES. The results reveal a Si-enriched monosilicide state I, Si: ...
摘要:以石墨、沥青和纳米硅粉为原料制备了锂离子电池Si/C负极材料,使用SEM/BSE、Raman、XRD、XPS及XPS氩离子刻蚀等方法对其硅活性物质进行了分析。结果表明,XRD和Raman仅判断出负极材料中含有活性物质单质Si;常规XPS结果发现近一半的Si已被氧化为惰性物质SiO2;而使用XPS氩离子刻蚀方法发现负极材料中Si存在5种化学态,包...
图三循环前不同Si@ SiOx/C纳米复合电极的Si 2p的XPS谱 (a)样品Si 的NPs。 (b)具有天然氧化物的Si NP。 (c)750℃下生长30分钟表面氧化物Si的 NPs (d)850℃下生长30分钟表面氧化物Si的 NPs 图四具有不同表面氧化物厚度的Si @ SiOx/C纳米复合负极的电化学性能 ...
学习Si纳米材料常规的制备方法;学习X射线衍射(XRD)、热重分析(TG)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱(Raman)、BET比表面积分析,X射线光电子能谱分析(XPS)等实验所需仪器设备的基本原理和操作方法;学习材料的常规表征方法。 第三部分:纽扣电池的组装测试及数据分析评估 ...