要点1.该反应通过Rh的二价阳离子催化剂活化C-Si化学键,因为生成η6-芳基配合物增加C-Si化学键极性,实现以异裂方式活化C-Si化学键。 要点2.通过亲电试剂反应生成芳基阳离子,从而有效的生成C-C化学键。理论计算结果显示该反应能够与氟进行逐步反应从而脱硅基...
C-Si)/(Si-C) ，好像此种形式是表示C-Si峰面积与Si-C峰面积比，或者C/Si的含量比，而不是Si...
随着还原温度的升高,Co-O键的峰直到400 ℃时才减小,这是Co氧化表面的最低还原温度。原位拉曼光谱数据进一步证明,LaCoSi表面存在暴露的Co原子。 图3 LaCoSiHx的结构表征:(A-D)STEM图像和相应的La、Co、Si的EDS元素映射图像;(E)LaCoSiHx的单元胞和...
循环前后Si/C450电极的SEM成像和XPS分析表明，P(SH-BA3%)粘结剂能更好地抑制Si/C450电极的体积膨胀。因此，Si/C450电极在实际粘结剂含量仅为3 wt %的情况下，比线性粘结剂和传统CMC/SBR粘结剂具有更高的倍率和循环性能。此外，NCM811//Si/C450@P(SH-BA3%)软包全电池在0.3C循环200次后的初始库仑效率为8...
根据Bader电荷分析和LaCoSiH的XPS谱图(图3E-H),电子从La原子转移到Co、Si和H原子。Co原子的负电荷为-0.43 |e|,与LaCoSi中的Co原子相同。这些结果表明,LaCoSiH和LaCoSi之间具有相似的电子性质。与Co在LaCoSi中的XPS相比,其在780.1 eV处的氧化峰明显减弱,表明在还原过程中表面氧化的Co物种发生了还原。这进一步...
为了推动金刚石材料电子器件的发展,加快国内外金刚石基MOSFETs的研究进程,近日,北京科技大学碳基材料与功能薄膜团队刘金龙副研究员与早稻田大学Hiroshi Kawarada教授课题组合作研究了C-Si界面(111)金刚石MOSFET的电学特性,通过高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、电子能量损失(EELS)和x射线光电子能谱(XPS)对SiO2/(111)金刚...
图二具有不同厚度的表面氧化物层的Si @ SiOxNP的物相和成分表征 (a)XRD谱图 (b)FTIR光谱 (c)拉曼光谱 (d,e)29Si MAS NMR光谱 图三循环前不同Si@ SiOx/C纳米复合电极的Si 2p的XPS谱 (a)样品Si 的NPs。 (b)具有天然氧化物的Si NP。 (c)750℃下生长30分钟表面氧化物Si的 NPs ...
基于以往的非原位表征技术,已经有多个SEI模型概念被提出(图1):利用傅里叶变换红外光谱法(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和电化学阻抗谱(EIS)表征技术成功揭示了在醚基和酯基电解质两者中形成的SEI是由各种无机和有机微相组成,例如LiF、Li2CO3和烷基酯锂等,它们在横向和纵向上分布复杂,人们针对此现象提出了马赛克模...
Lin 等人结合使用SXES和无窗EDS研究了类似锂硅合金的成分。在对无窗 EDS光谱进行解卷积后,得到了 Li Kα和Si L2,3 峰的强度。锂Kα、硅L2,3和硅Kα的强度显示了不同锂浓度下清晰的层状结构。 H. Lin, H. Noguchi, K. UosakiApplication of windowless energy dispersive spectroscopy todetermineLi distri...
2 2012-04-18 为什么Si—O键能比C—C键键能大,但是SiO2的熔点却比金... 5 2018-05-15 有机化学中C-H键、C=O键等等,中的C是多少价 5 2015-02-08 根据键能数据估算Si(s)+O2(g)=SiO2(s)的反应... 4 2020-01-16 在下列化合物中,C-O-H键角最大的是哪个化合物?更多...