要点1.该反应通过Rh的二价阳离子催化剂活化C-Si化学键,因为生成η6-芳基配合物增加C-Si化学键极性,实现以异裂方式活化C-Si化学键。 要点2.通过亲电试剂反应生成芳基阳离子,从而有效的生成C-C化学键。理论计算结果显示该反应能够与氟进行逐步反应从而脱硅基...
SiO2/金刚石制备的C-Si界面被认为适用于高压和高温应用,与C-H键相比,金刚石中的C与SiO2中的Si直接键合可以提供更可靠的稳定性,更适合于半导体工业的应用。 本文研究了C-Si界面(111)金刚石MOSFET的电学特性,通过高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、电子能量损失(EELS)和x射线光电子能谱(XPS)对SiO2/(111)金刚石界面...
根据Bader电荷分析和LaCoSiH的XPS谱图(图3E-H),电子从La原子转移到Co、Si和H原子。Co原子的负电荷为-0.43 |e|,与LaCoSi中的Co原子相同。这些结果表明,LaCoSiH和LaCoSi之间具有相似的电子性质。与Co在LaCoSi中的XPS相比,其在780.1 eV处的氧化峰明显减弱,表明在还原过程中表面氧化的Co物种发生了还原。这进一步证...
随着还原温度的升高,Co-O键的峰直到400 ℃时才减小,这是Co氧化表面的最低还原温度。原位拉曼光谱数据进一步证明,LaCoSi表面存在暴露的Co原子。 图3 LaCoSiHx的结构表征:(A-D)STEM图像和相应的La、Co、Si的EDS元素映射图像;(E)LaCoSiHx的单元胞和...
为了推动金刚石材料电子器件的发展,加快国内外金刚石基MOSFETs的研究进程,近日,北京科技大学碳基材料与功能薄膜团队刘金龙副研究员与早稻田大学Hiroshi Kawarada教授课题组合作研究了C-Si界面(111)金刚石MOSFET的电学特性,通过高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、电子能量损失(EELS)和x射线光电子能谱(XPS)对SiO2/(111)金刚...
图二具有不同厚度的表面氧化物层的Si @ SiOxNP的物相和成分表征 (a)XRD谱图 (b)FTIR光谱 (c)拉曼光谱 (d,e)29Si MAS NMR光谱 图三循环前不同Si@ SiOx/C纳米复合电极的Si 2p的XPS谱 (a)样品Si 的NPs。 (b)具有天然氧化物的Si NP。 (c)750℃下生长30分钟表面氧化物Si的 NPs ...
总之，该工作提出了一种基于硼酸交联设计的用于Si/C450和Si/C600电极的3D网络聚合物粘结剂P(SH-BA3%)。由于3D共价交联化学，开发的P(SH-BA3%)粘合剂提供了增强的机械和粘接性能，以及比其他线性粘结剂更低的膨胀率。循环前后Si/C450电极的SEM成像和XPS分析表明，P(SH-BA3%)粘结剂能更好地抑制Si/C450电极的...
2 2012-04-18 为什么Si—O键能比C—C键键能大,但是SiO2的熔点却比金... 5 2018-05-15 有机化学中C-H键、C=O键等等,中的C是多少价 5 2015-02-08 根据键能数据估算Si(s)+O2(g)=SiO2(s)的反应... 4 2020-01-16 在下列化合物中,C-O-H键角最大的是哪个化合物?更多...
图2.SS-Si/C 的结构特征。(a) SS-Si/C 的 TEM 和 (b) 高分辨率 TEM 图像；(c) SS-Si/C 的 SAED 图样和 (d) 元素图谱图像；(e) Si/C 和 SS-Si/C 的 XRD 图样和 (f) 拉曼光谱。(g) Si/C 和 (h) SS-Si/C 的 Si 2p XPS 光谱。全能型闪蒸焦耳热设备 特点：快速加热：1s加热到3000...
首先，利用X射线光电子能谱(XPS)对SEI和CEI具体成分进行了分析。图4a-c显示了NVPF正极在NPFT和NPF电解液中在-25、25和60℃循环80次后CEI的C 1s、F 1s和Si 2p特征光谱。可以看出，CEI主要由有机和无机组分组成，其中有机组分主要分为碳基和磷/硅/氯基两类产物，由于有机组分的复合性质(P/Si基交联位点...