背面电力传输网络（BPD、BSP 或BSPDN）将晶圆正面和背面之间的信号和电力交换分开。传统上，电源是通过使用BEOL（后端生产线）工艺在晶圆正面制造的低电阻金属线网络来实现的该配电网络 (PDN)与信令网络或设计用于传输信号的互连共享空间。然而， BSPDN消除了这一点，允许互连扩展继续进行。通过降低金属图案的复杂性来...
英特尔将在一年左右的时间里率先推出BSPDN,但尽管名称为18A,但密度接近3nm工艺。 来源:台积电、英特尔、三星、Rapidus、SemiAnalysis。
据TrendForce报道，最近三星晶圆代工PDK开发团队的高级副总裁Lee Sun-Jae在活动上，介绍了BSPDN背面供电技术的一些情况，表示相较于传统的FSPDN供电方式，在同样是2nm芯片的情况下，采用BSPDN的SF2Z工艺可以减少约17%的芯片面积，并为能效和性能带来约15%和8%的提升。此外，通过背面供电技术，可以消除供电线路和信号...
BSPDN竞争，英特尔领先 三星电子、英特尔和台积电计划将背面供电（BSPDN）技术应用于2纳米工艺，以主导下一代AI市场。预测这项技术将成为明年正式启动的2纳米市场的竞争核心。电气和电子工程师协会(IEEE)预测，由于从2纳米工艺开始出现功率效率问题，BSPDN技术将成为必然采用。特别是，随着三星电子和台积电追赶英特尔今年年...
【环球网科技综合报道】8月23日消息,据韩国经济日报报道,三星电子副总裁兼晶圆代工厂PDK开发团队主管Sungjae Lee于当地时间8月22日,介绍了该公司在半导体技术领域的最新突破——BSPDN(背面供电网络)技术。这项创新技术将使2纳米芯片的尺寸缩小17%,同时实现性能提升8%、功耗降低15%的显著优化。
Lee Sun-Jae 表示，相较于采用传统 FSPDN 供电方式的 2nm 工艺，采用 BSPDN 的 SF2Z 节点可明显改善电路压降问题。具体到数据上，其可减少约 17% 芯片面积、提升约 15% 能效、增强约 8% 性能。参考IT之家此前报道，三星电子在三星代工论坛 2024 北美场上公布了最新先进制程路线图：初版 2nm 制程 SF2 定...
三星：BSPDN技术可将芯片尺寸缩小17% 三星电子副总裁兼晶圆代工厂PDK开发团队主管Sungjae Lee当地时间8月22日介绍BSPDN（背面供电网络）技术时表示，该技术将使2纳米芯片的尺寸缩小17%，同时性能提升8%，功耗降低15%。Sungjae Lee介绍称，三星将从2027年起将BSPDN应用于2纳米工艺的量产。（韩国经济日报）
作为BSPDN技术的先行者，英特尔已经在其背面供电技术领域取得了显著的进展。英特尔的PowerVia技术是一种先进的背面供电解决方案，旨在降低功耗并提高性能。这种技术将供电层与逻辑层分离，从而消除它们之间的相互影响。PowerVia技术将为芯片设计带来革命性的改变，使得芯片的集成度和性能得到大幅提升。英特尔的下一代节点将...
三星BSPDN技术引领芯片创新:尺寸缩减17%,能效提升15% 在近日举行的西门子EDA论坛2024首尔站上,三星电子晶圆代工PDK开发团队的高级副总裁Lee Sun-Jae向业界展示了其革命性的背面供电网络(BSPDN)技术所带来的显著优势。据Lee介绍,BSPDN技术在2nm工艺节点上的SF2Z设计中展现出卓越性能,相较于传统的正面供电网络(FSPDN...
三星在SEDEX 2022上，介绍了一种称为“BSPDN（背面供电网络）”的技术，称经过后端互联设计和逻辑优化，可以解决FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题，2nm芯片的性能将提高44%，功率效率提高30%。在去年的VLSI研讨会上，三星又公布了最新的BSPDN研究成果，表示BSPDN相比FSPDN的面积可以减小14.8%。据相关...