BPR是埋在晶体管下方的金属线结构，部分位于Si衬底中，部分位于浅沟槽隔离氧化物中。这起到了通常在标准单元级 BEOL 中实现的VDD和 V SS电源轨的作用。从 BEOL 到 FEOL 的历史性转变可以减少 MINT 轨道的数量，从而进一步减少标准单元。此外，通过将其设计为垂直于标准单元，可以减小导轨的尺寸，从而进一步降低IR...
BPR通过晶体管触点顶部的通孔连接到晶体管,穿过前侧的金属层,然后通过另一个通孔向下连接到BPR本身。这些低金属层是关键的缩放限制因素之一,因为它们需要一些最小的功能和非常拥挤的路由——通过路由电源,BPR几乎无法缓解那里的问题。PowerVia提供帮助。直接从晶体管触点向下布线到BSPDN意味着真正没有通过关键前侧金属层...
2019 年,Arm 通过仿真实验首次显示了在 CPU 设计中使用 BSPDN 带来的有益影响,该CPU是由IMEC开发的3nm工艺制作的。在此设计中,位于晶圆减薄的背面上的互连金属通过位于埋入式电源轨(BPR)上的硅通孔(TSV)与晶圆正面的3nm晶体管相连接。模拟结果表明,该BSPDN的效率是传统正面供电网络(PDN)的七倍。” 具有700nm...
在此设计中，位于晶圆减薄的背面上的互连金属通过位于埋入式电源轨（BPR）上的硅通孔（TSV）与晶圆正面...
Semiconductor device with early buried power rail (BPR) and backside power distribution network (BSPDN)A semiconductor structure includes a power distribution network including a first buried power rail, a power wire, and a first buried via electrically interconnecting the first buried power rail and...
'Semiconductor Device With Early Buried Power Rail (Bpr) And Backside Power Distribution Network (Bspdn)' in Patent Application Approval Process (USPTO 20230132353) 来自 国家科技图书文献中心 喜欢 0 阅读量: 13 摘要: The following quote was obtained by the news editors from the background ...
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH EARLY BURIED POWER RAIL (BPR) AND BACKSIDE POWER DISTRIBUTION NETWORK (BSPDN)A semiconductor structure includes a power distribution network including a first buried power rail, a power wire, and a first buried via electrically interconnecting the first buried power rail and...