艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将出席于2011年10月3日到6日在美国亚利桑那州Tempe市举办的IEEE国际绝缘体上硅大会(2011 IEEE International SOI Conference),并在会上介绍业内最新BSIM-IMG模型的应用情况。 今年的IEEE国际绝缘体上硅大会将成为工程师和科学家们分享和了解硅绝缘体...
W8617ET MBP BSIM-IMG 模型生成 [已淘汰] 更换 W6014E PathWave MBP Multi-gate FET Extraction Package 查看产品详情 | 购买或租赁选件 概述和特性 售后升级 资源 W8617ET 是 W8617EP Model Builder Program(MBP)BSIM-IMG 模型生成软件的限时许可证选件。
本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：B S I M I M G 背沟道器件模型和BSIMIMG正沟道器件模型，BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至BSIMIMG正沟道器件模型；其中，BSIMIMG正沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的正沟道...
其中,BSIMIMG正沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的正沟道器件模型参数生成,BSIMIMG背沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的背沟道器件模型参数生成,新的BSIMIMG标准模型是修改BSIMIMG标准模型的Veriloga代码所得到.通过本发明提高了背沟道开启情况下的器件模型...