将正栅压加到所述bsimimg背沟道器件模型的背栅上,将背栅压加到所述bsimimg背沟道器件模型的正栅上,以及将漏电压加到所述bsimimg背沟道器件模型的漏极上; 在所述bsimimg正沟道器件模型上并联受控源,其中,所述受控源为电压控制电流源或者电流控制电流源; 将所述bsimimg背沟道器件模型的背沟道电流引入至所述受控源...
基于BSIMIMG的FDSOIMOSFET模型生成方法及装置专利信息由爱企查专利频道提供,基于BSIMIMG的FDSOIMOSFET模型生成方法及装置说明:本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置,应用于集成电路设计领...专利查询请上爱企查
W8617ET MBP BSIM-IMG 模型生成 [已淘汰] 更换 W6014E PathWave MBP Multi-gate FET Extraction Package 查看产品详情 | 购买或租赁选件 概述和特性 售后升级 资源 W8617ET 是 W8617EP Model Builder Program(MBP)BSIM-IMG 模型生成软件的限时许可证选件。
本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：B S I M I M G 背沟道器件模型和BSIMIMG正沟道器件模型，BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至BSIMIMG正沟道器件模型；其中，BSIMIMG正沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的正沟道...