4、基于实施例提供的方案,背栅电压影响沟道背界面参数和载流子分布参数,进而影响1/f噪声的大小,基于沟道背界面参数和载流子分布参数对bsim-img噪声模型进行优化,优化后的bsim-img噪声模型能够更准确的对1/f噪声进行仿真,提高了bsim-img噪声模型仿真准确率。 5、在一种可能实现的方式中,所述根据所述沟道背界面参数和所...
BSIMIMG: Compact Model for UTBBSOI MOSFETsY.S. ChauhanP. KushwahaS. KhandelwalC. YadavN. PaydavosiJ.P. DuarteC. Hu
BSIM-IMG: A Compact Model for Ultrathin-Body SOI MOSFETs With Back-Gate Control 来自 Semantic Scholar 喜欢 0 阅读量: 264 作者: S Khandelwal,YS Chauhan,DD Lu,S Venugopalan,UKM Ahosan,AB Sachid,Nguyen, B.-Y,O Rozeau,O Faynot,AM Niknejad 展开 ...
BSIM-IMG的本征和非本征的模型中的方程都是基于物理表面势推导出来的。通过全耗尽,轻掺杂体和有效解析近似计算解泊松方程可以得到源极和漏极两端的表面势和电荷密度。本文在深入分析了Double-Gate SOI MOSFET特性以及BSIM IMG模型方程的基础上,重点研究基于BSIM IMG的模型开发和评估和应用于全耗尽器件可适用的范围。
艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将出席于2011年10月3日到6日在美国亚利桑那州Tempe市举办的IEEE国际绝缘体上硅大会(2011 IEEE International SOI Conference),并在会上介绍业内最新BSIM-IMG模型的应用情况。 今年的IEEE国际绝缘体上硅大会将成为工程师和科学家们分享和了解硅绝缘体...
提取所述fdsoimosfet器件的背沟道电流作为所述bsimimg背沟道器件模型的正沟道电流。 可选地,所述将所述bsimimg背沟道器件模型以受控源形式合并至所述bsimimg正沟道器件模型,以得到合成模型,包括: 将正栅压加到所述bsimimg背沟道器件模型的背栅上,将背栅压加到所述bsimimg背沟道器件模型的正栅上,以及将漏电压加到...
基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性.对3种模型的物理机理和数学方程进行研究,提取器件的直流特性及参数值.实验数据对比结果表明:相比PSP-SOI和HiSIM-SOTB,BSIM-IMG的仿真精度分别提高了2.08% 和7.10%.所以,BSIM-IMG更适用于DG SOI MOSFET器件直流特性建模....
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基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性。对3种模型的物理机理和数学方程进行研究,提取器件的直流特性及参数值。实验数据对比结果表明:相比PSP-SOI和HiSIM-SOTB,BSIM-IMG的仿真精度分别提高了2.08%和7.10%。所以,BSIM-IMG更适用于DG ...
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