BSIM-CMG模型通过引入一些修正项和经验公式来考虑这些短沟道效应,从而能够更准确地描述小尺寸器件的电学特性。 高阶效应:除了短沟道效应外,模型还考虑了其他一些高阶效应,如载流子迁移率的变化、衬底偏置效应、温度效应等。例如,载流子迁移率会受到电场强度、温度以及表面散射等因素的影响,模型通过相应的函数来描述迁移率...
软件名称BSIM-CMG模型智能提取软件 软件简称Parameter Extraction for BSIM-CMG (PMEx)版本号V1.0 登记号2024SR0950766分类号- 著作权人中山大学首次发表日期- 登记日期2024-07-08 该公司其他软件著作权 序号登记日期软件全称软件简称登记号版本号 12025-03-13CHB患者信息智能分析管理平台-2025SR0439594V1.0 ...
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
• BSIM-CMG provides the flexibi l ityto model devices with novel materials.This includes parameters for non-si l icon channel devices and High-K/Metal-gate stack •Other important effects(such as)mobi l ity degradation,velocity saturation,velocity overshoot,series resistance,channel length modu...
摘要:艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的...
A step-by-step parameter extraction strategy starting from parameter initialization to a complete global BSIM-CMG model card preparation is discussed in this chapter. First, we discuss the important trends in the measured data which are used in parameter initialization. Afterward, the process to ...
BSIM-CMG A Compact Model for Multi-Gate Transistors45阅读 文档大小:177.93K 12页 xingyuanguan..上传于2016-02-19 格式:PDF 人工智能基础(第2版) x2d;高济 x2d;ai x2d;4 x2d;本 热度: 计算机知识windows系统:开始--运行--命令大全0421050529第一期 热度: 女孩要富养--杨澜269 热度: 相关推荐 ...
网络共多栅极晶体管 网络释义 1. 共多栅极晶体管 ...eling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 www.eeworld.com.cn|基于3个网页
Manuf. 3, 20030402 (2020) doi: 10.33079/jomm.20030402 1 BSIM-CMG Compact Model for IC CAD: from FinFET to Gate-All-Around FET Technology Avirup Dasgupta * and Chenming Hu ** Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, CA 94720, USA. ...