BSIM-CMG模型通过引入一些修正项和经验公式来考虑这些短沟道效应,从而能够更准确地描述小尺寸器件的电学特性。 高阶效应:除了短沟道效应外,模型还考虑了其他一些高阶效应,如载流子迁移率的变化、衬底偏置效应、温度效应等。例如,载流子迁移率会受到电场强度、温度以及表面散射等因素的影响,模型通过相应的函数来描述迁移率...
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
随着集成电路工艺特征尺寸进入28nm以下节点,传统的平面MOSFET结构已不再适用,新型的三维晶体管(FinFET)结构逐渐成为摩尔定律得以延续的重要保证。本书从三维结构的原理、物理效应入手,详细讨论了FinFET紧凑模型(BSIM-CMG)产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避...
BSIM-CMGisimplementedintwoversions(modesofoperation):three-terminalBSIMCMG-SOImode(withD(G)Sports)and4-terminalBSIMCMG-BULKmode (withD(G)S,Bports). BerkeleyCommon-GateMulti-GateMOSFETModel -3- •Physicalsurface-potential-basedformulationsarederivedforbothintrinsicandextrinsicmodelswithfinitebodydoping ...
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网络共多栅极晶体管 网络释义 1. 共多栅极晶体管 ...eling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 www.eeworld.com.cn|基于3个网页
Dunga MV et al (2008) BSIM CMG: a compact model for multi-gate transistors. In: Colinge J-P (ed) FinFETS and other multi-gate transistors. Springer, New YorkM. Dunga, C. Lin, A. Niknejad, and C. Hu, "BSIM-CMG: A compact model for multi-gate transistors," in FinFETs and ...
摘要:艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的...
BSIM2模型是BSIM1模型的改进版,适用于小尺寸器件的模拟。BSIM3模型是BSIM2模型的改进版,适用于更小尺寸的器件。BSIM4模型是BSIM3模型的改进版,适用于更小尺寸和更高频率的器件。BSIM6模型是BSIM4模型的改进版,适用于更小尺寸和更高频率的器件,并增加了温度和工艺变化的模拟。BSIM-CMG模型是BSIM系列模型的最新版本...