bsim-cmg模型原理 基本物理基础。 载流子输运:该模型基于漂移-扩散理论来描述载流子(电子和空穴)在MOSFET沟道中的输运。在电场作用下,载流子会产生漂移运动;同时,由于载流子浓度的差异,还会存在扩散运动。通过求解漂移-扩散方程,可以得到载流子的浓度分布和电流密度。 表面势与阈值电压:模型考虑了MOSFET栅极电压对半导体表面...
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
摘要:艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的...
• BSIM-CMG provides the flexibi l ityto model devices with novel materials.This includes parameters for non-si l icon channel devices and High-K/Metal-gate stack •Other important effects(such as)mobi l ity degradation,velocity saturation,velocity overshoot,series resistance,channel length modu...
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艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的扩展...
导语:艾克赛利支持TMI和BSIM-CMG模型。 艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基...