Hu, "BSIM-CMG: A compact model for multi-gate transistors," in FinFETs and Other Multi-Gate Tran- sistors. New York: Springer-Verlag, 2008.M.V.Dunga, C.-H. Lin, A. M. Niknejad and C. Hu, 2008 "BSIM-CMG: A compact model for multi-gate transistors," in FinFETs and Other ...
网络共多栅极晶体管 网络释义 1. 共多栅极晶体管 ...eling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 www.eeworld.com.cn|基于3个网页
软件名称BSIM-CMG模型智能提取软件 软件简称Parameter Extraction for BSIM-CMG (PMEx)版本号V1.0 登记号2024SR0950766分类号- 著作权人中山大学首次发表日期- 登记日期2024-07-08 该公司其他软件著作权 序号登记日期软件全称软件简称登记号版本号 12024-12-03基于皮尔森残差(Pearson-residual)的微生物基因组代谢模型流...
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的扩展...
摘要:艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的...
随着集成电路工艺特征尺寸进入28nm以下节点,传统的平面MOSFET结构已不再适用,新型的三维晶体管(FinFET)结构逐渐成为摩尔定律得以延续的重要保证。本书从三维结构的原理、物理效应入手,详细讨论了FinFET紧凑模型(BSIM-CMG)产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避...
艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的扩展...
• BSIM-CMGhasbeendevelopedtomodeltheelectricalcharacteristicsofCommon MG(CMG)structures(allgatesareelectricallytiedtogether).Aseparatemodel, theBSIM-IMG,hasbeendevelopedtomodeltheIndependentMG(IMG)structure, butitisnotyetofficiallyreleased WhyBSIM-CMGModel ...