BSIM-CMG模型通过引入一些修正项和经验公式来考虑这些短沟道效应,从而能够更准确地描述小尺寸器件的电学特性。 高阶效应:除了短沟道效应外,模型还考虑了其他一些高阶效应,如载流子迁移率的变化、衬底偏置效应、温度效应等。例如,载流子迁移率会受到电场强度、温度以及表面散射等因素的影响,模型通过相应的函数来描述迁移率...
• BSIM-CMG provides the flexibi l ityto model devices with novel materials.This includes parameters for non-si l icon channel devices and High-K/Metal-gate stack •Other important effects(such as)mobi l ity degradation,velocity saturation,velocity overshoot,series resistance,channel length modu...
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
随着集成电路工艺特征尺寸进入28nm以下节点,传统的平面MOSFET结构已不再适用,新型的三维晶体管(FinFET)结构逐渐成为摩尔定律得以延续的重要保证。本书从三维结构的原理、物理效应入手,详细讨论了FinFET紧凑模型(BSIM-CMG)产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避...
软件名称BSIM-CMG模型智能提取软件 软件简称Parameter Extraction for BSIM-CMG (PMEx)版本号V1.0 登记号2024SR0950766分类号- 著作权人中山大学首次发表日期- 登记日期2024-07-08 该公司其他软件著作权 序号登记日期软件全称软件简称登记号版本号 12025-03-13CHB患者信息智能分析管理平台-2025SR0439594V1.0 ...
A step-by-step parameter extraction strategy starting from parameter initialization to a complete global BSIM-CMG model card preparation is discussed in this chapter. First, we discuss the important trends in the measured data which are used in parameter initialization. Afterward, the process to ...
摘要:艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的...
《用于集成电路仿真和设计的FinFET建模基于BSIM-CMG标准》作者:机械工业出版社,出版社:2020年10月 第1版,ISBN:99.00。随着集成电路工艺特征尺寸进入28nm以下节点,传统的平面MOSFET结构已不再适用,新型的三维晶体管
本书对符合工业界标准的BSIMFinFET模型(BSIM-CMG)进行了深入讨论。针对FinFET晶体管结构、量子效应、泄漏电流、寄生参数、噪声、基准测试、模型参数提取流程以及温度特性分别进行了分析,*后还对BSIM-CMG中的各类参数进行了详细说明。FinFET器件相比传统的平面晶体管来说有明显优势。首先,FinFet沟道一般是轻掺杂甚至不掺...