bsim-cmg模型原理 基本物理基础。 载流子输运:该模型基于漂移-扩散理论来描述载流子(电子和空穴)在MOSFET沟道中的输运。在电场作用下,载流子会产生漂移运动;同时,由于载流子浓度的差异,还会存在扩散运动。通过求解漂移-扩散方程,可以得到载流子的浓度分布和电流密度。 表面势与阈值电压:模型考虑了MOSFET栅极电压对半导体表面...
• BSIM-CMG provides the flexibi l ityto model devices with novel materials.This includes parameters for non-si l icon channel devices and High-K/Metal-gate stack •Other important effects(such as)mobi l ity degradation,velocity saturation,velocity overshoot,series resistance,channel length modu...
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
基本信息 软件名称BSIM-CMG模型智能提取软件 软件简称Parameter Extraction for BSIM-CMG (PMEx)版本号V1.0 登记号2024SR0950766分类号- 著作权人中山大学首次发表日期- 登记日期2024-07-08 该公司其他软件著作权 序号登记日期软件全称软件简称登记号版本号 ...
摘要:艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的...
导语:艾克赛利支持TMI和BSIM-CMG模型。 艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基...
提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法.在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应.提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(open+short)去嵌方法进行去嵌.通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型.该模型...