BSIM-CMG模型通过引入一些修正项和经验公式来考虑这些短沟道效应,从而能够更准确地描述小尺寸器件的电学特性。 高阶效应:除了短沟道效应外,模型还考虑了其他一些高阶效应,如载流子迁移率的变化、衬底偏置效应、温度效应等。例如,载流子迁移率会受到电场强度、温度以及表面散射等因素的影响,模型通过相应的函数来描述迁移率...
• BSIM-CMG provides the flexibi l ityto model devices with novel materials.This includes parameters for non-si l icon channel devices and High-K/Metal-gate stack •Other important effects(such as)mobi l ity degradation,velocity saturation,velocity overshoot,series resistance,channel length modu...
摘要:艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的...
BSIM-CMGModel：BSIM-CMG模型
BSIM2模型是BSIM1模型的改进版,适用于小尺寸器件的模拟。BSIM3模型是BSIM2模型的改进版,适用于更小尺寸的器件。BSIM4模型是BSIM3模型的改进版,适用于更小尺寸和更高频率的器件。BSIM6模型是BSIM4模型的改进版,适用于更小尺寸和更高频率的器件,并增加了温度和工艺变化的模拟。BSIM-CMG模型是BSIM系列模型的最新版本...
艾克赛利(Accelicon),器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者,宣布将在其新版本的Model Builder Program(MBP)中将支持台积电建模接口(TSMC Modeling Interface, TMI)和伯克利共多栅极晶体管(BSIM-CMG)模型。 TMI是台积电为40nm及以下尺寸紧凑SPICE器件建模提供的一套方案。它基于标准C语言开发,支持标准紧凑模型的扩展...
BSIM-CMG模型智能提取软件是由中山大学著作的软件著作,该软件著作登记号为:2024SR0950766,属于分类,想要查询更多关于BSIM-CMG模型智能提取软件著作的著作权信息就到天眼查官网!
本书对符合工业界标准的BSIMFinFET模型(BSIM-CMG)进行了深入讨论。针对Fin FET晶体管结构、量子效应、泄漏电流、寄生参数、噪声、基准测试、模型参数提取流程以及温度特性分别进行了分析,*后还对BSIM-CMG中的各类参数进行了详细说明。FinFET器件相比传统的平面晶体管来说有明显优势。首先,FinFet沟道一般是轻掺杂甚至不...
结合Sentaurus TCAD仿真与伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型,对NSFET进行直流特性建模。使用器件模型提取工具XModel提取器件的直流特性参数,包括单器件参数提取、温度及自热效应参数提取。结果表明,单器件直流特性参数提取平均误差小于5%,温度及自热效应的参数提取结果精准度较好,验证了模型的...