Au-Al键合在温冲条件下具有较好的抗热疲劳性能,键合拉力在合格范围内,键合电阻随着试验周期的增加而增大;高温应力导致Au_Al键合界面形成电阻率较高的化合物,引起键合电性能退化。在150℃和175℃高温试验中,Au-AI键合电阻随着存储时间的增加逐渐增大,在200℃高温试验中部分键合电阻出现了急剧增大的现象,而 Al_Au键合...
基于温冲环境的Au—Al键合特性研究周继承等:基于温冲环境的Au—Al键合特性研究 基于温冲环境的Au—Al键合特性研究 周继承,严钦云,杨丹.黄云 (1.中南大学物理科学与..
非常重 要的 Au A 键合系统的可靠性问题已经研究多年 通常采用高温贮存试验 2\4 来考核其键合可靠性 认为 Au A 键合系统经高温贮存后会产生多种金属间 化合物 5\9 和 Kirkenda 空洞 10 11 导致 Au A 键 合强度下降 接触电阻增大甚至开路 从而引起器件失 效 随着半导体产品应用范围不断扩展 器件在恶劣 ...
因此抑制au-al之间金属间化合物的形成和长大是提高au-al键合强度和可靠性的重要途径。现有的au-al键合方法中主要通过优化键合参数尽量减少键合时的金属间化合物形成,但是该方法对工艺稳定性的要求很高,而且无法阻止在后期使用过程中金属间化合物的进一步生长问题,导致键合界面的可靠性较差,进而影响半导体器件的功能和使用...
Au-Al引线键合的可靠性(英文)ThereliabilityofAu-Alsysteminwirebonding Content 1.Background2.Principle3.EvolutionofIMCsinAu/Al&Al/Au4.TheIMCformationinAu-Aldiffusioncouples Background WireBonding(WB)takesmorethan90%inchipinterconnecting.Andabout25%failureoccursinWBjoints，especiallyinAu-Aljoints.Au-Al...
摘要: 本文介绍了Au-Al键合系统的失效机理及其对器件可靠性的影响,并以具体实例说明了Au-Al键合系统生成金铝间化合物和Kirkendall(柯肯德尔)空洞导致器件失效,最后,提出了相应的预防措施。关键词: Au-Al键合系统 金铝间化合物 Kirkendall空洞(柯肯德尔空洞) ...
基于温冲环境的Au—Al键合特性研究 维普资讯 http://www.cqvip.com
基于温冲应力环境的Au—Al键合可靠性 维普资讯 http://www.cqvip.com
Al、Au、Cu焊丝在引线键合中的比较 一.三种元素的优缺点 Al: 优点;三者中价格最低、资源丰富; 缺点:电阻率高,热导性能差,机械强度低,难以适应中小功率器件小面积小焊位的生产需要,但可在铝成份中添加1%的硅,可增强铝线强度,适应于小直径;焊点大,需要Pad尺寸大,降低了芯片效率。 Au: 优点:90%的封装企业使用...
在引线框架的Ni镀层上电镀一层薄的Pd层,作为封装、PCB和可键合表面顶层的保护层 ,钯薄膜层与Au线的月牙形键合和Al线的楔形键合不存在可靠性问题。金线与Pd薄膜层的新月形键合不同于镀银引线框架上的键合,但在更高功率等产品应用中已实现量产