键合测试结构和数据采集系统,采用温度冲击和高温贮存等试验方法对Au-Al键合系统在严酷环境中的失效机理及其退化规律展开了研究,主要得到了如下结论:Au-Al键合在温冲条件下具有较好的抗热疲劳性能,键合拉力在合格范围内,键合电阻随着试验周期的增加而增大;高温应力导致Au_Al键合界面形成电阻率较高的化合物,引起键合电...
本文设计了专用键合测试结构和数据采集系统,采用温度冲击和高温贮存等试验方法对Au-Al键合系统在严酷环境中的失效机理及其退化规律展开了研究,主要得到了如下结论: Au-Al键合在温冲条件下具有较好的抗热疲劳性能,键合拉力在合格范围内,键合电阻随着试验周期的增加而增大;高温应力导致Au-Al键合界面形成电阻率较高的化合物...
Au-Al键合可靠性及其失效机理研究(理科) 热度: 超声楔形键合界面连接物理机理研究 热度: 超声楔键合AuAl和AlAu界面IMC演化 热度: 第28卷第3期电子工艺技术 125007年5月ElectronicsProcessTechnology #新工艺新技术# 超声楔键合Au/Al和Al/Au界面IMC演化
随着应用场景的不断拓展,烧结纳米银被逐渐用于封装更大面积电子芯片,因此,研究人员探索了连接面积对封装连接可靠性的影响,发现无压烧结过程中,相同烧结工艺下连接面积越大,相应的烧结孔隙率越高,连接强度也随之降低,无压烧结工艺应被局限于连接面积小于 10× 10 mm2的应用。为克服无压烧结纳米银工艺方法的这一局限性...
摘要: 本文介绍了Au-Al键合系统的失效机理及其对器件可靠性的影响,并以具体实例说明了Au-Al键合系统生成金铝间化合物和Kirkendall(柯肯德尔)空洞导致器件失效,最后,提出了相应的预防措施。关键词: Au-Al键合系统 金铝间化合物 Kirkendall空洞(柯肯德尔空洞) ...
本研究基于高可靠性混合集成电路的工程需要,以2.0mil金丝与芯片上铝焊盘所形成Au-Al键合为研究对象,通过扫描电子显微镜(SEM)和拉力测试研究了300℃,24h高温贮存对Au-Al键合点处Au-Al扩散和引线键合强度的影响.研究结果为:高温贮存过程中Au-Al键合点处出现Au沿着Al焊盘表面横向扩散且单个键合点最大扩散距离分布在9.92...
本文介绍了Au-Al键合系统的失效机理及其对器件可靠性的影响,并以具体实例说明了Au-Al键合系统生成金铝间化合物和Kirkendall(柯肯德尔)空洞导致器件失效,最后,提出了相... 林晓玲,郑廷圭 - 中国电子学会可靠性分会学术年会 被引量: 0发表: 2006年 Au-Al键合系统失效对IC器件可靠性的影响 本文介绍了Au-Al键...
在键合互连 时,芯片表面焊盘的可靠性被广泛关注,研究者关 注较多的是“异质界面”的柯肯达尔(Kirkendall) 效应 [1,2] :当金丝键合在Al焊盘上时,由于有足够的 Au存在,在一定温度下贮存一定时间后,在Au与Al 摘要:初步探讨了 u- l键合界面处于电解质类污染物中发生的失效行为及其机理。分析认为电解质类 污染物...
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