4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type) 常规尺寸: dia4“ ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm 技术参数: 4H-SiC薄膜晶向:<0001> 4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :1.4E17/cc +0% /- 30% ...
选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变。在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,SiC表面的抛光去除速率进一步...
4H-SiC基片电阻率:< 0.03 ohm-cm 4H-SiC抛光:Si面CMP单抛边缘排除:1mm 标准包装: 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供,如您想了解更多关于4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。 注:该产品未在中华人民共和...
如题，tersoff势用来计算si c化物之间的相互作用势，那么不同结构的sic他们的tersoff势参数还相同么？