4H-SiC晶体基片是碳化硅(SiC)的一种晶体类型,碳化硅有大约250种晶体类型,包括3C、4H和6H等,但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型,数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。 产品简述 产品视频 留言咨询 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数:a=3.08Å c=...
晶格参数为0.3081 1.0093 3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要:我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合(LCAO)法以及BZW程序,研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性质与实验结果很好地吻合。对3C-SiC的初始总能量计算,找到了一...
一、项目名称:4H-SiC单晶采购项目 二、项目编号:2023-YKQYJC-W4224 项目预算:9万元 三、项目概况: 1 技术服务要求 设备名称 规格参数 计量单位 数量 备注 4H-SiC单晶采购项目 1.生长方法:PVT 2.晶格常数:a=3.073?,c=10.05? 3.晶体结构:六方 4.排列次序:ABCB 5.方向:生长轴或偏<0001>4° 6.带隙:3.2...
SiC属于第三代半导体基础材料,禁带宽度大于2eV。其中4H-SiC禁带宽可以达到3.26eV,迁移率高:900cm2/V.s。 联系我们附件下载售后支持立即购买 技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数: ...
在这项工作中，由于 4H-SiC 的六边形平面内各向同性晶格，间隙为 3.5 µm 的器件成功实现模式匹配并运行，导致原生频率分裂仅为几 ppm 并落在静电调谐范围内。频率响应测量 在真空室中，在室温下对两个 4 英寸绝缘体上 SiC 晶片上的大量 4H-SiC 圆盘谐振器进行了表征，统计数据如图 4a-d 所示。测得的...
现在我们来比较一下4H和6H SiC。从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。
SiC(4H,6H)晶体,碳化硅晶体SiC(4H,6H)晶体 货号规格数量价格 Q-0058318100mg 1 询价 Q-0058318250mg 1 询价 Q-0058318500mg 1 询价 Q-00583181g 1 询价 Q-00583185g 1 询价 快速订购/大包装咨询 张惠宁销售经理 17778955912 1521565887 业务范围:AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | ...
在4H-SiC晶体中,每个Si原子和相邻的4个C原子形成一个四面体结构,而每个C原子则与3个Si原子和1个C原子相邻,形成了一个六角形的环状结构。这种排列方式使得4H-SiC晶体具有较高的硬度和热稳定性。 4H-SiC晶体的晶格参数与其性能密切相关。晶格参数是描述晶体结构的重要参数,包括晶格常数、晶面间距等。对于4H-SiC晶体...
4H-SIC晶体具有六方晶格结构,其中硅和碳原子以ABCABC排列。与其他晶向相比,4H-SIC具有更高的载流子迁移率。 迁移率是描述材料中载流子运动性能的重要参数。它反映了载流子在电场作用下在材料中的移动能力。高迁移率意味着载流子可以更快地在材料中传输,从而提高电子器件的性能。 4H-SIC材料具有较高的迁移率,这是由...