在4H-SiC晶体中,每个Si原子和相邻的4个C原子形成一个四面体结构,而每个C原子则与3个Si原子和1个C原子相邻,形成了一个六角形的环状结构。这种排列方式使得4H-SiC晶体具有较高的硬度和热稳定性。 4H-SiC晶体的晶格参数与其性能密切相关。晶格参数是描述晶体结构的重要参数,包括晶格常数、晶面间距等。对于4H-SiC晶体...
金刚石-sic, sic-inp,sic-LN, ic-ga2o3,glass--glass，Si-SiC，Si-GaAs、GaAs- SiC、Si–SiC、SiC–SiC、Ge–Ge 、Al 2 O 3 -Al 2 O 3 ，GaP-InP， GaN-Si、LiNbO 3 -Al 2 O 3 、LiTaO 3 -Si and more(晶体，陶瓷，等等)
SiC属于第三代半导体基础材料,禁带宽度大于2eV。其中4H-SiC禁带宽可以达到3.26eV,迁移率高:900cm2/V.s。 联系我们附件下载售后支持立即购买 技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数: ...
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域最常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。
4H-SiC晶体结构具有较高的热导率、较低的电阻率和较高的断裂强度,因此在高温和高压环境下具有出色的性能。 接下来,我们来看6H-SiC结构。6H-SiC也是一种晶体结构,同样属于闪锌矿型结构。其晶胞中包含了6个硅原子和6个碳原子,也是由六边形环相互连接而成。不同于4H-SiC,6H-SiC的晶体结构中,每个硅原子和碳原子...
SIC晶体可以具有不同的晶向,包括4H、6H和3C等。在这些晶向中,4H晶向是最为常见和广泛研究的。4H-SIC晶体具有六方晶格结构,其中硅和碳原子以ABCABC排列。与其他晶向相比,4H-SIC具有更高的载流子迁移率。 迁移率是描述材料中载流子运动性能的重要参数。它反映了载流子在电场作用下在材料中的移动能力。高迁移率意味着...
SiC(4H,6H)晶体,碳化硅晶体SiC(4H,6H)晶体 货号规格数量价格 Q-0058318100mg 1 询价 Q-0058318250mg 1 询价 Q-0058318500mg 1 询价 Q-00583181g 1 询价 Q-00583185g 1 询价 快速订购/大包装咨询 张惠宁销售经理 17778955912 1521565887 业务范围:AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | ...
商用SiC功率器件最近用生长在直径6英寸的n型4H-SiC衬底上的SiC外延层制成。然而,6英寸以上的大直径SiC晶圆的质量仍然是提高器件性能和器件良率的重要因素。特别是,众所周知,低缺陷密度的高质量SiC外延层主要可以生长在低晶体缺陷和低翘曲值的高质量SiC衬底上。因此,精心控制工艺参数对于降低生长阶段和冷却到室温阶段...
SIC晶体是由硅原子和碳原子构成的复合晶体,硅原子和碳原子以不同的方式排列形成不同的结构类型,其中4H相是硅原子和碳原子交替排列形成六方晶格的一种结构。 在LAMMPS中构建SIC晶体结构的步骤如下: 1.定义晶体结构:首先需要定义晶格参数和晶体的结构类型,对于4H相的SIC晶体,可以定义其晶格参数和原子的排列方式。 2...
SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC ) 联系我们附件下载 技术参数 主要性能参数 生长方法 籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输) 晶体结构 六方 晶格常数 a=3.08 Å c=15.08 Å 方向 <0001>或 <0001>偏4 º 带隙 2.93 eV (间接) 硬度 9.2(mohs) 热传导@300K...