SiC属于第三代半导体基础材料,禁带宽度大于2eV。其中4H-SiC禁带宽可以达到3.26eV,迁移率高:900cm2/V.s。 联系我们附件下载售后支持立即购买 技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数: ...
此外,4H-SiC芯片还具有高热导率、高击穿电场、高热膨胀系数等优点,这使得它在电力电子器件领域具有广泛的应用前景。 4H-SiC芯片在制造过程中需要经过多步复杂的工艺流程,包括晶体制备、外延生长、芯片制作等。在这些工艺流程中,需要精确控制温度、气氛、掺杂浓度等参数,以保证最终产品的性能和可靠性。同时,也需要对...
微管缺陷确实位于SiC晶锭表面一个大螺旋的中心,针孔的直径从0.5微米到几微米不等 • TSD • TED-BPD ■ 升华生长的多型控制 • 晶锭生长过程中的多型体混合——转换、聚结、成核——在TSD周围发生螺旋生长,以弥补多型体的不匹配 ■ 晶锭生长过程中的 BPD 生成 • 由于晶格参数的变化,掺杂物的变化会...
技术参数: 4H-SiC薄膜晶向:<0001> 4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :1.4E17/cc +0% /- 30% 载流子浓度:(3~ 10)E16 /cc 导电类型:P型 抛光情况:双面抛光 4H-SiC基片晶向:<0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel(10-10);OF lengt...
现在我们来比较一下4H和6H SiC。从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。
摘要:高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题,SiC是制造高温压力传感器的理想材料,结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术,提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真, 600 ℃时灵敏度为2.65 MHz/bar,说明传感器在高温下具有较高的灵敏度,对制备过程中...
4H-SiC超透镜和物镜分别在相同的光路中进行了测试,保持一致的设置和参数。在整个实验过程中,z轴阶段被调节以定位焦平面,并使用CCD相机记录图像。样品的温度通过红外热像仪(InfiRay T3S)进行测量,发射率设置为0.95(4H-SiC)和0.996(物镜)。4H-SiC材料和物镜的发射率测试和校准详细信息见补充信息(详见“热辐射测量的...
GaAs-SiC，InP-Diamond， LN-SiC，Si-Si，GaN-Dlamond,Sl-Diamond,蓝宝石-蓝宝石，金刚石-sic, sic-inp,sic-LN, ic-ga2o3,glass--glass，Si-SiC，Si-GaAs、GaAs- SiC、Si–SiC、SiC–SiC、Ge–Ge 、Al 2 O 3 -Al 2 O 3 ，GaP-InP， GaN-Si、LiNbO 3 -Al 2 O 3 、LiTaO 3 -Si and ...
4H sic 晶格常数 晶格参数为0.3081 1.0093 3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要:我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合(LCAO)法以及BZW程序,研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性