4H-SiC属于六方晶系空间群P63m,4H代表由4层Si-C为一周期排列的六角结构。本文作者在5×5×1的4H-SiC超晶胞中分别用P替位Si,P替位C,形成原子数为200的Si100PC99、Si99PC100结构,以及原子个数为201的P间隙掺杂4H-SiC超晶胞。掺杂浓度为4.8×1020 cm-3,属于高掺杂(当掺杂浓度大于3×1018 cm-3时被认为...
1.一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:<Image>α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为<Image>其特征在于,所述模型上表面沿(0001)面向<Image>偏4°。 2.一种权利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构...
所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法;本发明的4H‑SiC材料4°偏角...
[0007] -种4H_SiC材料8°偏角三维原子结构模型,所述模型为4H_SiC六方晶胞的周 期性重复结构,晶胞参数为:a=3.08 A±0,5%,b=3.08 ,4±0.:5%, c=l(U_)6 A±0.5%, α = 90°,β =90°,γ =120°,所述晶胞由中心为娃原子的四面体构成,碳娃键长为1.89 A, 所述模型上表面沿(0001)面向<Π 2 ...
(a) Intrinsic SiC; (b) Si0.96875Al0.03125C; (c) Si0.9375Al0.0625C; (d) Si0.875Al0.125C.由前面讨论可知, 4H-SiC禁带宽度随Al掺杂浓度的增大而减小, 因此可以从电子态密度分布来分析不同浓度Al掺杂4H-SiC后, 禁带宽度随Al掺杂浓度变化规律的内部机理. 图5所示为Si0.96875Al0.03125C的超晶胞在一个Al...
4H-SiC能带结构碳空位 系统标签: sic第一性缺陷晶胞能级载流子 第2卷第1期微电子期刊Vol.2No.12012年3月ScientificJournalofMicroelectronics(SJM)Mar.2012.jmicroPP.8-12©2011AmericanV-KingScientificPublishing,LTD4H-SiC中VC程萍缺陷的第一性原理研究1,张玉明2,张义门2,李永平1.宁波大红鹰学院信息工程学院浙江...
②其晶胞参数为a=395pm,晶体密度为___g/cm3(NA表示阿伏加德罗常数数值,列出计算式即可) [解析] (1)基态Fe的价电子排布式为:3d64s2,因此Fe2+的价电子排布式为3d6; (2)与之间通过离子键组成化合物NH4BF4,中有1个H原子与N原子之间化学键为配位键,中有1个F原子与B原子之间化学键为配位键...
结果表明:N—A1共掺杂导致4H—SiC晶格膨胀,4H—SiC的 禁带宽度减小,同时在4H—SiC禁带中引入了杂质能级;N、A1的单掺 杂增加了4H—SiC对红外波段和可见光波段的响应,N—Al共掺杂不存 在该现象;N—A1共掺杂4H—SiC较本征4H—SiC在紫外波段出现一个 更大的透射窗口,吸收系数略小于本征4H—SiC的。 关键词:第...
所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为: 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 2016-01-20 公开 公开 2016-01-20 公开 公开 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2016-09-28 实质审查的生效 实质审查的生效 2019-07-19 授权 授权 权利要求说明书 一种4H-SiC材料4°偏角...