碳化硅SiC晶片4H/6H导电型1-8英寸 光伏发电射频单晶衬底实验测试 HFDJ-1099 10000 合肥单晶材料 100级洁净袋,1000级超净室 20221102 ￥1.0000元10~-- 件 合肥单晶材料科技有限公司 3年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 碳化硅SiC晶片 2英寸 4H-N导电型 厚度350μm 光伏发电射频单晶衬底 HFDJ-1103...
关于碳化硅晶体碳化硅(SiC)是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一,也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主,导电类型分为...
所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
然而，由于SiC在材料物理化学性质上与Si有很大差异，很难直接将Si基标准化工艺体系应用于SiC[12]。全SiC基或体SiC基传感器的研究多集中在压力传感器上[13]-[15]，这些SiC基压力传感器的制备工艺已较为完善，并获得了大量的器件性能测试数据。然而，全SiC或体SiC在加速度计中的应用并不像压力传感器领域那么广泛，这...
索引词 — 4H-SiC、4H-SiCOI、4H-SiC 高纵横比 (HAR)深反应离子蚀刻(DRIE)、声学材料、弹性各向异性、弹性常数、频率分裂、HAR DRIE、高 Q 因子、机械材料、机声学材料、微机电系统 (MEMS)、MEMS 谐振器、碳化硅 (SiC)、绝缘体上碳化硅 (SiCOI)、智能切割、频率温度系数 (TCF)、品质因数温度系数 (TCQ)、...
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程,直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧化的研究现状,讨论了 SiC 湿法氧化工 艺所选用的氧化剂,如 KMnO4、...
在光电器件方面,4H SiC单晶可以用于制作高功率激光二极管和紫外光发射器等。 总结 4H SiC单晶作为一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的物理和化学性质,广泛应用于高功率电子器件、高温传感器和光电器件等领域。通过合适的制备方法,可以获得高质量的4H SiC单晶原料。未来,随着技术的进一步发展,4H SiC单晶的应用领域将会...
带隙是指固体中能量带的间隔,对于半导体材料来说,带隙决定了其导电性质。4H-SiC晶体的带隙约为3.26eV,比传统的硅材料的带隙要大得多。这使得4H-SiC晶体具有较高的击穿电场强度和较低的载流子浓度,适合用于高功率和高频率的电子器件。 除了晶格结构和带隙,4H-SiC晶体还具有其他一些特殊的性能。例如,由于SiC材料...
SiC 4H的热导率根据其晶体结构而异。单晶材料具有高度有序的原子排列,而多晶材料由许多小晶粒组成,具有不同的取向。单晶SiC 4H的热导率通常比多晶材料高。 晶向依赖性 SiC 4H的热导率还与晶向有关。在c轴方向(垂直于晶体平面),热导率通常高于在a轴或b轴方向(平行于晶体平面)。 温度依赖性 SiC 4H的热导...
作为第三代半导体材料(WBG)的典型代表,4H碳化硅(4H-SiC)具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、饱和速度大等优势。 借助其优秀的材料特性,4H-SiC功率器件将拥有更高的转换效率及开关频率,可以轻松实现高压大电流的高速开关。 相较于传统Si器件,4H-SiC功率器件可以使相关应用的实现带来革命性的变化,近年来已获...