半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程,直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧化的研究现状,讨论了 SiC 湿法氧化工 艺所选用的氧化剂,如 KMnO4、H...
关于碳化硅晶体碳化硅(SiC)是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一,也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主,导电类型分为...
4H-SiC 熔点 SiC 是一种具有许多优异性质的半导体材料。其硬度极高、热稳定性优异、耐辐照、耐腐蚀、高电子迁移率等特性使其得到了广泛的研究。4H-SiC 是 SiC 常用的晶体结构之一,其熔点随着晶体结构的不同而不同。那么,4H-SiC 的熔点是多少呢? 首先,我们需要了解一下什么是熔点。熔点是物质从固态转化为液态的...
4h-sic作为一种宽禁带半导体材料,具有较强的抗辐照能力。辐照仍会导致材料内部结构发生改变,进影响mos器件的电学性能。辐照剂量是影响器件性能变化的关键因素,不同辐照剂量下,4h-sic mos器件的电导率、击穿电压、阈值电压、漏电流等电气性能会发生不同程度的变化。 1.电导率的变化 辐照会引入晶格缺陷,导致自由载流子...
本文将重点介绍4H-SiC外延材料低位错密度关键技术的研究进展,包括外延生长技术、晶体缺陷控制、功率密度优化和晶体生长机理等方面。通过对相关技术的深入研究和实验验证,我们可以为4H-SiC外延材料的制备提供有力的理论依据和实用方法。 一、外延生长技术 外延生长技术是实现低位错密度的关键。常用的外延生长方法有气相外延...
作为第三代半导体材料(WBG)的典型代表,4H碳化硅(4H-SiC)具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、饱和速度大等优势。 借助其优秀的材料特性,4H-SiC功率器件将拥有更高的转换效率及开关频率,可以轻松实现高压大电流的高速开关。 相较于传统Si器件,4H-SiC功率器件可以使相关应用的实现带来革命性的变化,近年来已获...
4H-SiC晶体基片是碳化硅(SiC)的一种晶体类型,碳化硅有大约250种晶体类型,包括3C、4H和6H等,但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型,数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。 产品简述 产品视频 留言咨询 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数:a=3.08Å c=...
SIC材料的晶体结构是由颗粒状或板状的碳化硅组成的。这些晶体结构可以分为三个不同的晶向,即(0001)、(000-1)和(11-20)。这三个晶向的迁移率有很大的差异。下面我们将逐个探讨这些差异。 首先是(0001)晶向。这个晶向是最常见的SIC晶向,也是制备SIC器件的主要选择。在这个晶向中,迁移率较高,通常超过100 cm^2/...
合盛硅业旗下宁波合盛新材料有限公司近日传来振奋人心的消息,其8英寸导电型4H-SiC(碳化硅)衬底项目已圆满实现全线贯通,标志着公司在第三代半导体材料领域的研发与生产迈出了历史性的一步,成功跻身行业顶尖行列。 历经五年的不懈努力与深耕细作,合盛新材料成功解锁了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料精细制备,到单晶碳化...
SiC属于第三代半导体基础材料,禁带宽度大于2eV。其中4H-SiC禁带宽可以达到3.26eV,迁移率高:900cm2/V.s。 联系我们附件下载售后支持立即购买 技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数: ...