这样的外延片用于制造功率器件,可以极大提高器件的参数稳定性和良率。比如用于制作碳化硅功率器件时,会在导电型4H-SiC衬底上同质生长一层4H-SiC单晶外延,成为碳化硅外延片,厚的外延层、好的表面形貌、较低的掺杂浓度有利于提高器件的击穿电压。碳化硅外延片质量对于碳化硅器件质量有举足轻重的作用,而外延片质量强烈依赖...