4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺 4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究 柏松，韩春林，陈刚 （南京电子器件研究所，南京 210016）摘要：对于栅挖槽的4H-SiC MESFET，栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀（RIE），界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好，...
4H-SiC圈:.IC制造工艺.’j:堕: 4H-SiCMESFET的反应离子刻蚀和 牺牲氧化工艺研究 柏松,韩春林,陈刚 (南京电子器件研究所,江苏南京210016) 摘要:对于栅挖槽的4..
图6所示为不同掺杂浓度下4H-SiC中Al原子的分波态密度, 可以发现, 随着掺杂浓度的增加, 导带中Al的3p态所占比重也随之增大, 同时向高能端移动; 价带顶随着掺杂浓度增大也向高能端移动, 且相对于导带底的移动更大, 导致禁带宽度随着掺杂浓度的增大而减小. 此外, 随着Al掺杂浓度的增加, 费米能级进入价带的深度增...
C-V处理结果表明高温条件下热电子发射加剧，栅介质层漏电增强，且随着温度的升高，存在于Al2O3和SiO2层中俘获电子的受主型陷阱受热激发而脱离陷阱，提取的势垒高度远大于Al2O3/4H-SiC的势垒高度，可知该受主型陷阱主要是分布在SiO2层中，陷阱辅助的热电子发射机制起着主导作用，同时也存在占总漏电的比重不大的热...