8 英寸 4H-SiC衬底 4H晶型比例为 100%,5 点X-射线摇摆曲线半高宽分布在 10.44”~11.52”之间,平均微管密度为 0.04 个/ cm2,平均电阻率为 0.0203 Ω·cm。衬底不存在明显应力区,翘曲度(Warp)为 17.318 μm,弯曲度(Bow)为-3.773 μm,总位错密度为 3293 个/cm2,其中TSD密度为 81 个/cm2,BPD密度为 13...
密度(g/cm3)3.16 带隙: 2.93eV (间接) 导电类型: N导电 电阻率: 0.1-0.01ohm-cm 介电常数: e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 导电率: 5W / cm·K 生长方式: MOCVD(有机金属化学气相沉积) 产品规格 常规晶向: 常规尺寸: 10x5mm10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm ...
8英寸与6英寸SiC晶圆的制造工艺有很大差别,当尺寸扩展到8英寸之后,热应力增大,缺陷控制更加困难,尤其是位错缺陷的控制与6英寸相比还有一定差距,因此8英寸SiC衬底要实现量产,提升市场份额,需要进一步降低位错缺陷密度,达到6英寸SiC衬底的位错缺陷水平,尤其是对器件性能影响较大的TSD和BPD。此外,8英寸SiC衬底还需要解决良...
物理气相传输 (PVT) 法生长的 4H-SiC 单晶通常具有较高的位错密度。然而关于 n 型 4H-SiC 位错密度的研究还鲜有报导。 论文详情 近日,浙江大学杨德仁院士团队皮孝东教授和韩学峰研究员、浙江工业大学袁巨龙教授带领研究团队采用 COMSOL M...
其中,6英寸4H-SiC位错密度作为评估该材料质量和性能的重要参数之一,在研究和应用中扮演着至关重要的角色。通过对位错密度的测量和评估,我们能够更好地理解材料内部晶格结构的缺陷情况,并据此优化生长工艺以提高其质量和性能。 1.2 文章结构 本文将从以下几个方面对6英寸4H-SiC位错密度进行解释说明。首先,在第2节中,...
4英寸碳化硅(半绝缘型)规格书材质:4H碳化硅晶体直径:100 ± 0.2 mm厚度:500 ± 20 um表面取向:On axis ±0.5°主参考面取向:平行于±1°主参考面长度:30 mm ±1 mm次参考面取向:顺时针与主参考面成 90˚ ± 5.0˚,Si 面朝上次参考面长度:16 mm ±1 mm微管密度:≤50个 cm^2(数据仅作参考)导电...
拉曼光谱表明 8英寸 SiC 衬底 100%比例面积为单一 4H 晶型;衬底(0004)面的 5 点 X-射线摇摆曲线半峰宽分布在 10.44”~11.52”之间;平均微管密度为 0.04 个/cm2;平均电阻率为 0.0203 Ω·cm。使用偏光应力仪对 8 英寸 SiC 衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp) ...
导电型SiC衬底根据掺杂元素不同，可以分为N型和P型。N型SiC技术进展迅速，国内外企业在晶体生长、缺陷控制和衬底加工等方面取得了显著进步。目前，6英寸衬底是SiC衬底市场上的主流产品，商用衬底的TSD密度控制在200个/cm2以下，优值小于50个/cm2，BPD密度在800个/cm2以下，优值小于500个/cm2。随着...
此外,合理选择基底和衬底材料,如使用刻蚀掉表面缺陷的SiC衬底,也可以减少外延材料中的位错密度。 二、晶体缺陷控制 晶体中的位错缺陷是导致位错密度增加的主要原因。因此,控制晶体缺陷是降低位错密度的关键。通过对材料生长过程中晶体生长机理的研究和理解,可以采取措施减少晶体缺陷的形成。例如,通过控制晶体生长速率和温度...
在外延工艺验证中,采用合盛8英寸衬底生产的外延片表现出色,膜厚均匀性与掺杂均匀性均高于行业平均水平,致命缺陷密度低于0.3颗/cm,可用面积超过99%,充分证明了合盛在半导体材料领域的强大实力与技术创新能力。 8英寸导电型4H-SiC衬底的全线贯通,不仅为合盛自身发展注入了强劲动力,更为全球半导体产业的高质量发展提供了...