在干热氧化过程中,压缩/拉伸曲率导致SiO2的正Vfb偏移(负固定电荷),SiO2 / SiC的界面态密度增加。另外,文章还发现样品的横光学(TO)声子波数与薄膜的曲率有关,这表明应力主要会影响SiO2 / SiC的界面。根据实验结果,本文作者提出“无应力”氧化膜可能是SiC-MOSFET应用的最佳选择。 实验选择4英寸SiC全晶片进行,其可以...
4H-SiC的态密度与3C—SiC的非常相似.然而,对4H—SiC的导带边没有杂质带出现,3C-SiC的也一样。 3。3 3C—和4H- SiC的电荷转移 无论是硅原子还是碳原子的四个价电子,更容易在形成化合物过程中的呈现正四面体结构排列,因此在SiC电荷转移过程不能省略。我们计算了3C—SiC和4H—SiC的有效电荷和电荷转移,应用...
或者相同电流密度的情况下，得到更低的导通电阻。而且4H VDMOS的开关速度比6H SiC电压上升时间更短，因此...
结晶质量良好,晶型稳定且衬底全片电阻率小于0.5Ω㊃cm㊂通过第一性原理平面波超软赝势方法对本征4H-SiC 及Al 元素掺杂后样品的体系进行能带结构㊁电子态密度的计算㊂结果表明Al 掺杂后样品禁带宽度减小,费米能级穿过价带,体现出p 型半导体的特征㊂研究结果为大规模生产高质量㊁低电阻的p 型4H-SiC 衬底...
在4H-SiC 外延生长工艺中，衬底上的基面位错能够转化成外延层中的刃型位错。这种转化降低了外延层中基面位错的密度，也就减小了外延层中缺陷对SiC 器件的损害。通过对基面位错的模拟，可以计算位错的密度和分布，态密度，能带结构，基面位错的转化等[2]。将结构缺陷模拟应用于PIN 二极管的优化，在实验无法勘察位错...
(a) Intrinsic SiC; (b) Si0.96875Al0.03125C; (c) Si0.9375Al0.0625C; (d) Si0.875Al0.125C.由前面讨论可知, 4H-SiC禁带宽度随Al掺杂浓度的增大而减小, 因此可以从电子态密度分布来分析不同浓度Al掺杂4H-SiC后, 禁带宽度随Al掺杂浓度变化规律的内部机理. 图5所示为Si0.96875Al0.03125C的超晶胞在一个Al...
P作为间隙式杂质使4H-SiC产生了两条位于费米能级下的杂质能级,在n型4H-SiC中,费米能级接近导带,电子基本上填满了杂质能级,即P接受电子成为P-,所以,在n型4H-SiC中,主要是这两条位于费米能级下的受主能级起作用。 图3所示为掺杂前后4H-SiC的分态密度图。由于掺杂原子对邻近原子态密度影响较大,因此,取邻近...
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO_2层并经N_2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH_3,N_2O,H_2和N_2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-...
摘要:使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有V C 本征缺陷的电子结构,分析了其 能带结构和电子态分布。计算结果表明:V C 关键词:4H-SiC;能带结构;碳空位 会引入新的杂质能级,与其成键的Si原子是形成该杂质能级的主要因素且该四个 ...