在干热氧化过程中,压缩/拉伸曲率导致SiO2的正Vfb偏移(负固定电荷),SiO2 / SiC的界面态密度增加。另外,文章还发现样品的横光学(TO)声子波数与薄膜的曲率有关,这表明应力主要会影响SiO2 / SiC的界面。根据实验结果,本文作者提出“无应力”氧化膜可能是SiC-MOSFET应用的最佳选择。 实验选择4英寸SiC全晶片进行,其可以...
SiC 生长机理，是 以高纯氢气或者氩气作为载体气体，将 Si 源气体和 C 源气体带入淀积室中进行化学反...
4H-SiC的态密度与3C—SiC的非常相似.然而,对4H—SiC的导带边没有杂质带出现,3C-SiC的也一样。 3。3 3C—和4H- SiC的电荷转移 无论是硅原子还是碳原子的四个价电子,更容易在形成化合物过程中的呈现正四面体结构排列,因此在SiC电荷转移过程不能省略。我们计算了3C—SiC和4H—SiC的有效电荷和电荷转移,应用...
通过退火工艺,可以降低栅氧界面的缺陷密度,改善界面态密度,从而提高沟道载流子迁移率。此外,采用氧等离子体处理方法可钝化界面缺陷,降低SiC/SiO2界面附近的Si和C相对含量,进一步提升界面可靠性。结合N退火和B扩散,利用B原子导致的界面应力松弛,可以保证器件阈值电压在室温下的稳定性。 优化器件结构设计:改进沟槽型MOSFET ...
在4H-SiC 外延生长工艺中，衬底上的基面位错能够转化成外延层中的刃型位错。这种转化降低了外延层中基面位错的密度，也就减小了外延层中缺陷对SiC 器件的损害。通过对基面位错的模拟，可以计算位错的密度和分布，态密度，能带结构，基面位错的转化等[2]。将结构缺陷模拟应用于PIN 二极管的优化，在实验无法勘察位错...
4HSiC 的晶格常数、能带结构、态密度、载流子浓度和电导率。结果表明:P 掺杂减小了 4HSiC 的禁带宽度, 其中P替位 C 原子掺杂的禁带宽度最小。替位式掺杂导致 4HSiC 的费米能级进入导带,使其成为n 型半导体, 间隙式掺杂使4HSiC的费米能级接近导带并在其禁带中引入杂质能级。替位式掺杂后,4H...
SiC具有高热导率,大 功率应用的工作温度将充分体现这一优点。为了挖掘SiC器件的全部潜力,必须 开发适合于较高功率密度和较高工作温度的封装技术。 1.1.5SiC双极晶体管的基本结构 从2000年第一个SiC双极晶体管问世以来,人们用到的结构主要有以下几种: (1)该结构(如图1.3)主要是为设计高频双极晶体管,采用外延生长...
摘要:碳化硅(SiC)是一种新型的宽禁带半导体材料，但在实际生产过程中存在各种缺陷。通过第一性原理平面波法计算了4H-SiC薄膜上的碳空位缺陷(V C)和硅空位缺陷(V Si)的态密度从而得出不 同缺陷对4H-SiC材料的影响。并在此基础上计算了磷原子和硼原子掺杂，得出两种不同的掺杂类型对 4H-SiC材料造成的影响；并...
此外,薄膜层和波导(WG)的几何变化可能会引入显著的局部态密度变化,正如在铒掺杂的硅绝缘体(SiOI)中所观察到的那样[30]。在这里,其他相关的光学寿命缩短可能是由于薄膜4H-SiC层的晶体结构一般性重排造成的,而这种重排无法完全修复植入损伤。这可能导致植入损伤产生的额外缺陷,从而提供非辐射衰减路径。因此,上述观察到...