物理气相传输 (PVT) 法生长的 4H-SiC 单晶通常具有较高的位错密度。然而关于 n 型 4H-SiC 位错密度的研究还鲜有报导。 论文详情 近日,浙江大学杨德仁院士团队皮孝东教授和韩学峰研究员、浙江工业大学袁巨龙教授带领研究团队采用 COMSOL M...
其中,6英寸4H-SiC位错密度作为评估该材料质量和性能的重要参数之一,在研究和应用中扮演着至关重要的角色。通过对位错密度的测量和评估,我们能够更好地理解材料内部晶格结构的缺陷情况,并据此优化生长工艺以提高其质量和性能。 1.2 文章结构 本文将从以下几个方面对6英寸4H-SiC位错密度进行解释说明。首先,在第2节中,...
密度(g/cm3)3.16 带隙: 2.93eV (间接) 导电类型: N导电 电阻率: 0.1-0.01ohm-cm 介电常数: e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 导电率: 5W / cm·K 生长方式: MOCVD(有机金属化学气相沉积) 产品规格 常规晶向: 常规尺寸: 10x5mm10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm ...
8 英寸 4H-SiC衬底 4H晶型比例为 100%,5 点X-射线摇摆曲线半高宽分布在 10.44”~11.52”之间,平均微管密度为 0.04 个/ cm2,平均电阻率为 0.0203 Ω·cm。衬底不存在明显应力区,翘曲度(Warp)为 17.318 μm,弯曲度(Bow)为-3.773 μm,总位错密度为 3293 个/cm2,其中TSD密度为 81 个/cm2,BPD密度为 13...
Spectroscopy and Spectral Analysis July, 2010 XRD 法计算 4H SiC 外延单晶中的位错密度贾仁需, 张玉明*, 张义门, 郭辉西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西 西安710071摘要对用 X 射线衍射法计算 4HSiC 外延中的位错密度方法进行了理论和...
目前, 6英寸衬底是SiC衬底市场上的主流产品,商用衬底的TSD密度控制在200个/cm2以下,优值小于50个/cm2,BPD 密度在800 个 /cm2 以下,优值小于 500 个 /cm2。 随着技术的不断成熟,以及市场需求的爆发,部分领先SiC衬底厂商已经在市场上达成众多战略合作。 为了加快订单交付,并迎接不断爆发的市场需求,国内SiC衬底...
拉曼光谱表明 8英寸 SiC 衬底 100%比例面积为单一 4H 晶型;衬底(0004)面的 5 点 X-射线摇摆曲线半峰宽分布在 10.44”~11.52”之间;平均微管密度为 0.04 个/cm2;平均电阻率为 0.0203 Ω·cm。使用偏光应力仪对 8 英寸 SiC 衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp) ...
此外,合理选择基底和衬底材料,如使用刻蚀掉表面缺陷的SiC衬底,也可以减少外延材料中的位错密度。 二、晶体缺陷控制 晶体中的位错缺陷是导致位错密度增加的主要原因。因此,控制晶体缺陷是降低位错密度的关键。通过对材料生长过程中晶体生长机理的研究和理解,可以采取措施减少晶体缺陷的形成。例如,通过控制晶体生长速率和温度...
(b) 器件在254/275/365 nm紫外光照射下的光电流比较。(c) 在275 nm光照下,器件在不同光功率密度下的对数和线性I-V曲线。器件 (e) 光电流和 (f) 响应度随Vds和光功率密度变化的mapping图。(g) 器件暗电流与Vds的函数关系。器...
近日,山东大学徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅(SiC)单晶衬底制备技术领域取得新突破。该团队与南砂晶圆半导体公司合作,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底,经测试表征,衬底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,电阻率平均值22mΩ•cm,不均匀性...