4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数: a=3.08Åc=10.05Å 熔点2827℃ 硬度(Mohs): ≈9.2 方向: 生长轴或偏(0001) 3.5° 密度(g/cm3)3.16 带隙: 2.93eV (间接) 导电类型: N导电 电阻率: 0.1-0.01ohm-cm 介电常数:
全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH 刻蚀后的 8 英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为 3293 个/cm2,其中螺型位错(TSD)密度为 81 个/cm2,刃型位错(TED)密度为 3074 个/cm2,基平面位错(BPD)密度为 138 个/cm2。结果表明 8 英寸导电型 4H-SiC 衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。 0引言 ...
8英寸与6英寸SiC晶圆的制造工艺有很大差别,当尺寸扩展到8英寸之后,热应力增大,缺陷控制更加困难,尤其是位错缺陷的控制与6英寸相比还有一定差距,因此8英寸SiC衬底要实现量产,提升市场份额,需要进一步降低位错缺陷密度,达到6英寸SiC衬底的位错缺陷水平,尤其是对器件性能影响较大的TSD和BPD。此外,8英寸SiC衬底还需要解决良...
密度: 3.21 g/cm3 方向: 生长轴或 偏<0001> 3.5 º 带隙: 3.26 eV (间接) 硬度: 9.2(mohs) 热传导@300K: 5 W/ cm.k 介电常数: e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸: 可定制 厚度: 0.35mm, 抛光: 单面或双面 粗糙度: Ra≤5Å(5µm×5µm) 数量: 10000 价格说...
近日,山东大学徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅(SiC)单晶衬底制备技术领域取得新突破。该团队与南砂晶圆半导体公司合作,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底,经测试表征,衬底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,电阻率平均值22mΩ•cm,不均匀性...
其中,6英寸4H-SiC位错密度作为评估该材料质量和性能的重要参数之一,在研究和应用中扮演着至关重要的角色。通过对位错密度的测量和评估,我们能够更好地理解材料内部晶格结构的缺陷情况,并据此优化生长工艺以提高其质量和性能。 1.2 文章结构 本文将从以下几个方面对6英寸4H-SiC位错密度进行解释说明。首先,在第2节中,...
在4H-SiC 外延生长工艺中，衬底上的基面位错能够转化成外延层中的刃型位错。这种转化降低了外延层中基面位错的密度，也就减小了外延层中缺陷对SiC 器件的损害。通过对基面位错的模拟，可以计算位错的密度和分布，态密度，能带结构，基面位错的转化等[2]。将结构缺陷模拟应用于PIN 二极管的优化，在实验无法勘察位错...
目前，6英寸衬底是SiC衬底市场上的主流产品，商用衬底的TSD密度控制在200个/cm2以下，优值小于50个/cm2，BPD密度在800个/cm2以下，优值小于500个/cm2。随着技术的不断成熟，以及市场需求的爆发，部分领先SiC衬底厂商已经在市场上达成众多战略合作。烁科晶体是国内最早公布8英寸SiC晶体制备的企业，于...
位错密度是评价 4H-SiC 单晶质量的关键指标。物理气相传输 (PVT) 法生长的 4H-SiC 单晶通常具有较高的位错密度。然而关于 n 型 4H-SiC 位错密度的研究还鲜有报导。 论文详情 近日,浙江大学杨德仁院士团队皮孝东教授和韩学峰研究员、浙...