4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数: a=3.08Åc=10.05Å 熔点2827℃ 硬度(Mohs): ≈9.2 方向: 生长轴或偏(0001) 3.5° 密度(g/cm3)3.16 带隙: 2.93eV (间接) 导电类型: N导电 电阻率: 0.1-0.01ohm-cm 介电常数:
位错密度是评价 4H-SiC 单晶质量的关键指标。物理气相传输 (PVT) 法生长的 4H-SiC 单晶通常具有较高的位错密度。然而关于 n 型 4H-SiC 位错密度的研究还鲜有报导。 论文详情 近日,浙江大学杨德仁院士团队皮孝东教授和韩学峰研究员、浙...
图8英寸导电型4H-SiC衬底微管分布 团队采用全自动显微镜对8英寸导电型4H-SiC衬底进行面扫描,测试微管密度及分布,微管主要分布在6英寸以外的扩径区域,微管密度小于0.3cm-2,达到衬底使用要求。采用非接触式涡流法电阻率测试仪对衬底的电阻率进行面扫描,电阻率平均值为22mΩ·cm,电阻率不均匀性小于4%。利用高分辨X射...
目前，6英寸衬底是SiC衬底市场上的主流产品，商用衬底的TSD密度控制在200个/cm2以下，优值小于50个/cm2，BPD密度在800个/cm2以下，优值小于500个/cm2。随着技术的不断成熟，以及市场需求的爆发，部分领先SiC衬底厂商已经在市场上达成众多战略合作。烁科晶体是国内最早公布8英寸SiC晶体制备的企业，于202...
全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH 刻蚀后的 8 英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为 3293 个/cm2,其中螺型位错(TSD)密度为 81 个/cm2,刃型位错(TED)密度为 3074 个/cm2,基平面位错(BPD)密度为 138 个/cm2。结果表明 8 英寸导电型 4H-SiC 衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。 0引言 ...
目前, 6英寸衬底是SiC衬底市场上的主流产品,商用衬底的TSD密度控制在200个/cm2以下,优值小于50个/cm2,BPD 密度在800 个 /cm2 以下,优值小于 500 个 /cm2。 随着技术的不断成熟,以及市场需求的爆发,部分领先SiC衬底厂商已经在市场上达成众多战略合作。 为了加快订单交付,并迎接不断爆发的市场需求,国内SiC衬底...
N型SiC技术已取得显著进步。国内外企业与研究机构在晶体生长、缺陷控制和衬底加工方面取得长足发展。其中，国外供应商主要集中在6英寸衬底领域，而国内企业已实现从4英寸到6英寸的批量化转产，晶体质量、产能和出货量接近国际领先水平。6英寸衬底成为市场主流，商用衬底的TSD密度控制在200个/cm2以下，优值...
表面取向4° toward [11-20] ± 0.5° 主参考边取向// [11-20] ± 5.0° 主参考边长度47.5 mm ± 2.0 mm 包装单片或者25片包装 X射线半峰宽≤30 arcsec≤40 arcsec≤60 arcsec 微管密度≤0.1 cm-2≤0.5 cm-2≤5 cm-2 位错EPD≤5000≤8000/ ...
其中,6英寸4H-SiC位错密度作为评估该材料质量和性能的重要参数之一,在研究和应用中扮演着至关重要的角色。通过对位错密度的测量和评估,我们能够更好地理解材料内部晶格结构的缺陷情况,并据此优化生长工艺以提高其质量和性能。 1.2 文章结构 本文将从以下几个方面对6英寸4H-SiC位错密度进行解释说明。首先,在第2节中,...
传统的4H-SiC MESFET器件虽然在理论上具有很好的直流和射频特性,但在实际中,由于击穿电压和漏电流的提高,在一定程度上为相互制约的关系,导致功率密度达不到更高的要求。目前科学界通过改变4H-SiC MESFET结构的尺寸、形状等手段来提高4H-SiC MESFET器件的性能。而双凹栅结构4H-SiC MESFET和阶梯栅结构MESFET的提出,对...