and Kazuo Arai ほか Applied Physics Letters Volume84 Number10 2004 M1 坂本愛理 2005/06/24 @研究室Semi. 2 目次 1 はじめに 4H-SiCの構造 2 目的 3 試料作成 4 測定結果 5 考察①・②・③ 6 まとめ・今後の課題 2005/06/24 @研究室Semi. 3 1 はじめに a b c 4H‐SiCの構造 SiCは...
本研究では、4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造のMOCVD成長とその評価を行った。使用した4H-SiC基板の表面租さはサファイア基板の約10倍という大きな値であったが、室温下でホール効果測定を行ったところ、AlNモル分率0.26で1348cm{sup}2Nsの移動度、及びAlNモル分率0.26以上でシートキヤリア密度1×...
SiC-MOSFETにおいて、移動度向上にはゲート酸化膜の界面制御が重要である。界 面制御には酸化膜形成工程における界面の原子構造を明らかにし、界面準位の形成メ力ニズムを 解明する必要がある。そこで本研究では、シミュレーションによって4H-SiC(1-100)とNOとの酸窒化反応による原子...