对4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)的吸收系数进行测定。本文在已有 的研究基础上,根据经验公式,结合外推方法得到4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系 数,并采用多项式拟合分析得到4H-SiC在紫外波段(200—400nm)的吸收系数与波长的关系式。该
4H-SiC吸收系数紫外(UV)基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式.对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H-SiC光电探测器结构设计的一个重要依据.doi:10.3969/j....
摘要 摘要 碳化硅是制作日盲紫外光探测器的理想材料。本文讨论了光探测器的物理机 理和性能参数,建立了4H.SiCPiN器件的物理模型,模拟了器件暗电流、器件面 积以及不同温度等因素对器件电流电压特性的影响,模拟分析了碳化硅紫外探测 器的光响应灵敏度和量子效率与波长的关系。论文得出了不同温度下PiN器件的 光电流和...
近日,中国科学技术大学张军等联合南京大学陆海、张荣团队在紫外波段单光子激光雷达方向取得新进展,通过设计制备基于4H-SiC材料的单光子雪崩光电二极管,发展主动淬灭主动恢复读出电路技术,研制出具有实用价值的紫外半导体单光子探测器,利用该探测器首次实现了单光子差分吸收臭氧激光雷达系统,并实现1~3.5km高度范围内的臭氧浓度...
1.本发明属于紫外光电探测技术领域,具体涉及一种4h-sic窄带紫外光电探测器。 背景技术: 2.碳化硅(sic)紫外探测器在紫外辐射剂量测定、火情预警和日照辐射指数测量等领域有广泛的应用。市场上供应的sic衬底材料包含4h-sic、6h-sic两种晶型。其中,4h-sic相比于6h-sic具有更高的载流子迁移率,在光电子器件开发方面更有...
划重点：小编提供基于si+sio2+sic（SAB键合）+减薄+cmp全套工艺的4H半绝缘碳化硅基片，助力碳化硅光子学发展。a.薄膜快速表征服务，测粗糙度，折射率，吸收系数，透过率，四大光学指标，同时针对大家常用的光学材料，小编均已整理和测量了其折射率，需要折射率数据麻烦找小编获取。b.🔥🔥6寸150nm微纳结构加工*🔥...
利用表面等离激元增强型内光电发射效应可以拓宽4h-sic光电探测器的响应波段。2021年,崔艳霞等人公开了一种碳化硅基光电探测器(专利号cn202110270328.5),该器件利用金、银等贵金属材料制成的纳米结构激发表面等离激元效应产生热载流子,利用热载流子的内光电效应,将器件的响应光谱范围拓展至紫外-可见-近红外全光谱。
与本征4H-SiC的能带结构相比, 4H-SiC经过Al掺杂后能级变得更加密集, 能带整体向上移动, 在价带顶引入一条为浅受主能级的杂质能级, 产生的空穴使得费米能级进入价带, 使样品表现出p型掺杂半导体的特征, 并且不同掺杂浓度下费米能级进入价带的深度也不同. 掺杂所致价带顶上移的程度远大于导带底上移的程度, 因此造...
结果表明 : N-Al 共掺杂导致 4H-SiC 晶格膨胀 , 4H-SiC 的 禁带宽度减小,同时在 4H-SiC 禁带中引入了杂质能级 ; N, Al 的单掺 杂增加了 4H-SiC 对红外波段和可见光波段的响应, N-Al 共掺杂不存 在该现象; N-Al 共掺杂 4H-SiC 较本征 4H-SiC 在紫外波段出现一个 更大的透射窗口, 吸收系数略...
4H— SiC 的№ 禁 带宽度 减小, 同时在 4H— SiC 禁带 中引入 了杂质 能级 ;N、A1的单掺 中 杂增加 了4H— SiC 对红外波段 和可见光波段 的响应 , N— Al 共掺杂不存 国阴 在 该现象 ; N— A1共掺 杂 4H— SiC 较本征 4H— SiC 在 紫外波段 出现一 个 更大的透射 窗口,吸收 系数略 ...