(西安电子科技大学西安微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710cr71)摘要:采用二维器件模拟器ISETCAD7.0,对比研究了6H.SiC和4H.SiCVDMOS的基本特 性.结果表明,在为8v时,4H.SiCVDMOS的漏极电流比6H.SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC 具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H.SiC...
其他属性 原产地 Shanghai 品牌 Xinkehui 型号 SIC 类型 SiC单晶片 Color Green Material SiC Single Crystal 6H-semi Type Thicnkss customized Application Infrared Optical Research Grade Dummy Surface Polished SSP Diameter 6 Inch MPD <10cm-2 Type ...
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1.4H-SiC纳米带阵列在高温场发射阴极材料中的应用,其特征在于,所述4H-SiC纳米带阵列为场发射阴极,所述4H-SiC纳米带阵列中至少纳米带具有介孔结构,所述场发射阴极在200-300℃的电子发射波动性为5-6%,开启电场为1.2-0.8V/μm。 2.根据权利要求1所述的4H-SiC纳米带阵列在场发射阴极材料中的应用,其特征在于,所...
作为第三代半导体材料,sic(碳化硅)具有优越的物理化学性质,是制作大功率、高温、高频、抗辐照等器件的理想衬底材料,在电力电子、交通运输、清洁能源、国防军事等领域具有广阔的应用前景。因此,对sic单晶的生长研究一直备受关注。sic单晶根据导电类型分为n型、半绝缘、p型。目前国内外对n型和半绝缘型sic衬底的研究较为...
高压4H-SiC肖特基势垒二极管的模拟及研制文档信息主题:关亍通信戒电子中的电子设计”的参考范文。属性:Doc-017X1M,doc格式,正文6272字。质优实惠,欢迎下载!适用:作为历史学毕业论文科目,编写学士学位论文、本科毕业论文戒发表期刊、评初级职称的参考文献;提供作写作参考,解决学术论文怎么写及格式等相关问题。目录目录....
其他属性 原产地 Shanghai 品牌 Xinkehui 型号 SIC 类型 SiC单晶片 颜色 绿色 材料 SiC单晶4h-N Thicnkss 1毫米 应用 晶种晶体生长 等级 生产级 表面 抛光 直径 4英寸公里/6英寸英哩 MPD <2cm-2 包装和发货信息 Packaging Details 单晶圆封装在100级清洁室 ...
SiC基稀磁 半导体在自旋电子学领域有潜在的应用前景。因此,对SiC基稀磁半导体的研究具有重 要意义。 本文基于第一性原理对第五周期过渡金属元素(Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、 Pd、Ag和Cd)单掺杂4H-SiC体系的能带结构、电子态密度、磁学特性以及光学特性进 行了计算与分析。因为4H-SiC属于单轴系六方形晶体,不...
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