在晶体的缺陷方面,微管对高质量 24H.SiC外延材料缺陷的检测与分析的高温和大功率SiC器件的影响最大。TDIInc减小微管密度的方法是将微管填实,之后再以此为衬底做外延生长。Cree生长出的2.5cm晶片已经没有微管,5cm晶片上微管的数目也已经低于lcm吐。半导体器件是制作在不同掺杂浓度的外延层上的。根据衬底的材料,SiC的...
为改进SiC外延材料质量, SiC外延层中层错缺陷的特征和起因需要进一步研究。本文使用KLA- Tencor CS920和光学显微镜检测、氢氧化钾腐蚀结合外延层减薄的方法, 详细研究了同质外延生长的4H-SiC中SF的形貌特征和起因, 指导4H-SiC晶体质量的改进方向。 1 实验方法 首先制备一片4英寸偏<112¯0>方向4°的4H-SiC单晶衬...
裸露 BPSB 和外延 BSF 类缺陷的空间相关性表明 BPSB 通过外延大致完全传播(图 4B),其中假设不完全传播主要是分析方法的结果。裸片上的缺陷尺寸由于表面下信号收集(图 4B,晶圆 1 相邻的蓝色和红色垂直线)通常被高估,裸晶圆上的传播估计受到两次扫描的坐标精度的影响,并且缺陷检测/分类中的缺陷可能会进一步导致此分...
裸露 BPSB 和外延 BSF 类缺陷的空间相关性表明 BPSB 通过外延大致完全传播(图 4B),其中假设不完全传播主要是分析方法的结果。裸片上的缺陷尺寸由于表面下信号收集(图 4B,晶圆 1 相邻的蓝色和红色垂直线)通常被高估,裸晶圆上的传播估计受到两次扫描的坐标精度的影响,并且缺陷检测/分类中的缺陷可能会进一步导致此分...
然而,3C/4H-SiC异质外延缺陷的演化机理研究仍然相对较少。目前的研究多集中在缺陷的表征和控制上,缺乏对缺陷演化机制的深入理解。未来的研究可以借助于原位监测技术,例如原位拉曼光谱和原位透射电子显微镜观测,以实时追踪和分析异质外延过程中的缺陷演化。此外,研究者还可以对优化CVD工艺参数、引入缺陷阻挡层和控制材料生长...
sic外延缺陷材料研究宽禁带 西安电子科技大学 硕士学位论文 4H-SiC同质外延材料中缺陷研究 姓名:***申请学位级别:硕士 专业:微电子学与固体电子学 指导教师:**明 20080101 摘要 摘要 4H—SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,已成为国际上新材料、微电子 和光电子领域研究的热点。本文对同质外延生长的4H-SiC材料...
为提高SiC外延材料质量，有必要深入研究外延层中层错缺陷的特征和起源。本文采用KLA-Tencor CS920和光学显微镜检测、氢氧化钾腐蚀结合外延层减薄的方法，详细研究了同质外延生长的4H-SiC中SF的形貌特征和起源，为4H-SiC晶体质量改进提供指导。实验方法 首先制备一片4英寸偏<112¯0>方向4°的4H-SiC...
但是,CVD方法在薄膜沉积过程中容易产生杂质和缺陷,影响了薄膜的质量。而单晶SiC外延和MBE方法则可以获得更高质量的4H-SiC薄膜。 最后,针对4H-SiC厚膜外延技术的器件验证也是重要的一环。通过对厚膜外延的SiC材料进行器件制备,可以验证其在实际应用中的性能表现。目前,4H-SiC厚膜外延技术已经在功率电子器件、光电器件、...
过去的研究报告证明,如果在外延层生长前正确处理衬底表面,晶圆衬底表面上的缺陷将会大幅减少,这是生长高品质外延层的关键所在。我们知道,氢气蚀刻方法可以去除数百奈米的体效应材料,从而改善晶圆表面的缺陷问题。 S. Soubatch等科学家研究了在1,400～1,600℃温度范围内氢气气相蚀刻方法对零偏4H-SiC(0001)晶圆的形貌和...
4H-SiC是碳化硅中最有前景的结构之一,具有高热导率、较高的击穿场强和较低的漏电流等优点。因此,研究人员对4H-SiC材料的低压同质外延生长和器件验证非常感兴趣。 低压同质外延生长是制备高质量4H-SiC晶体的关键技术之一。这种方法在减小杂质浓度和缺陷密度方面具有独特的优势。通过在石英室中使用碳源和硅源,可以在硅...