sic外延缺陷堆垛etching检测 西安电子科技大学 硕士学位论文 4H-SiC外延材料缺陷的检测与分析 姓名:*** 申请学位级别:硕士 专业:微电子学与固体电子学 指导教师:**明 20100101 摘要 摘 要 本文通过化学腐蚀与扫描电子显微分析相结合的方法对4H.SiC外延材料中的 缺陷进行了检测与分析。目的是确定重复性好的4H.SiC...
为改进SiC外延材料质量, SiC外延层中层错缺陷的特征和起因需要进一步研究。本文使用KLA- Tencor CS920和光学显微镜检测、氢氧化钾腐蚀结合外延层减薄的方法, 详细研究了同质外延生长的4H-SiC中SF的形貌特征和起因, 指导4H-SiC晶体质量的改进方向。 1 实验方法 首先制备一片4英寸偏<112¯0>方向4°的4H-SiC单晶衬...
裸露 BPSB 和外延 BSF 类缺陷的空间相关性表明 BPSB 通过外延大致完全传播(图 4B),其中假设不完全传播主要是分析方法的结果。裸片上的缺陷尺寸由于表面下信号收集(图 4B,晶圆 1 相邻的蓝色和红色垂直线)通常被高估,裸晶圆上的传播估计受到两次扫描的坐标精度的影响,并且缺陷检测/分类中的缺陷可能会进一步导致此分...
裸露 BPSB 和外延 BSF 类缺陷的空间相关性表明 BPSB 通过外延大致完全传播(图 4B),其中假设不完全传播主要是分析方法的结果。裸片上的缺陷尺寸由于表面下信号收集(图 4B,晶圆 1 相邻的蓝色和红色垂直线)通常被高估,裸晶圆上的传播估计受到两次扫描的坐标精度的影响,并且缺陷检测/分类中的缺陷可能会进一步导致此分...
分子动力学是一种计算模拟的方法,可以模拟原子或分子的运动,从而研究材料的结构和性质。在研究4H-SiC外延层中结构缺陷的形成机制和影响时,可以使用分子动力学方法进行模拟和分析。 具体而言,可以使用分子动力学模拟软件,在一个模拟单元中构建4H-SiC外延层的晶体结构,然后通过添加缺陷原子或分子来模拟结构缺陷的形成过程...
然而,3C/4H-SiC异质外延缺陷的演化机理研究仍然相对较少。目前的研究多集中在缺陷的表征和控制上,缺乏对缺陷演化机制的深入理解。未来的研究可以借助于原位监测技术,例如原位拉曼光谱和原位透射电子显微镜观测,以实时追踪和分析异质外延过程中的缺陷演化。此外,研究者还可以对优化CVD工艺参数、引入缺陷阻挡层和控制材料生长...
sic外延缺陷材料研究宽禁带 西安电子科技大学 硕士学位论文 4H-SiC同质外延材料中缺陷研究 姓名:***申请学位级别:硕士 专业:微电子学与固体电子学 指导教师:**明 20080101 摘要 摘要 4H—SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,已成为国际上新材料、微电子 和光电子领域研究的热点。本文对同质外延生长的4H-SiC材料...
为提高SiC外延材料质量，有必要深入研究外延层中层错缺陷的特征和起源。本文采用KLA-Tencor CS920和光学显微镜检测、氢氧化钾腐蚀结合外延层减薄的方法，详细研究了同质外延生长的4H-SiC中SF的形貌特征和起源，为4H-SiC晶体质量改进提供指导。实验方法 首先制备一片4英寸偏<112¯0>方向4°的4H-SiC...
但是,CVD方法在薄膜沉积过程中容易产生杂质和缺陷,影响了薄膜的质量。而单晶SiC外延和MBE方法则可以获得更高质量的4H-SiC薄膜。 最后,针对4H-SiC厚膜外延技术的器件验证也是重要的一环。通过对厚膜外延的SiC材料进行器件制备,可以验证其在实际应用中的性能表现。目前,4H-SiC厚膜外延技术已经在功率电子器件、光电器件、...
本文通过化学腐蚀与扫描电子显微分析相结合的方法对4H-SiC外延材料中的缺陷进行了检测与分析.目的是确定重复性好的4H-SiC腐蚀工艺,表征4H-SiC同质外延层中缺陷的类型,分布,密度等参数.主要工作如下: 第一,确定了化学腐蚀4H-SiC实验的流程,在该流程下,用本文确定的腐蚀参数可以得到较好的实验效果和观测效果.通过正交...